[实用新型]极紫外光光罩基底及极紫外光光罩

说明书

本实用新型公开了一种极紫外光光罩基底及极紫外光光罩。该极紫外光光罩基底包括：基板，其包括热电材料；导热层，其形成于基板上；以及反射层，其形成于导热层上。本实用新型通过在极紫外光光罩基底设置基底、形成于基板上的导热层以及形成于导热层上的反射层，使包含该基底的极紫外光光罩在吸收极紫外光后，将累计的热能传导至反射层，反射层将热能传导至导热层，导热层将热能传导至基板，包含热电材料的基板将热能转化为电能，从而降低了热能在极紫外光光罩中的积累，在一定程度上解决了极紫外光光罩受热膨胀的问题，提高了采用极紫外光光刻技术的半导体制程的稳定性。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种极紫外光光罩基底及极紫外光光罩。

背景技术

随着对半导体器件的高密度化和高精度化的进一步要求，为解决这一问题，极紫外光刻(Extreme Ultra Violet Lithography，EUVL，或者被称为极紫外曝光)技术被提出。

极紫外光刻是一种应用极紫外光(波长10纳米至14纳米)的光刻技术，可使曝光波长降到13.5纳米以下，将光刻技术扩展到32纳米以下的特征尺寸。通常，极紫外光光刻技术中，激光发射器将极紫外光照射到极紫外光光罩上后，反射到涂布有光刻胶的晶圆上进行曝光。

然而，由于极紫外光的波长较短，极紫外光光罩吸收到波长较短的极紫外光后，会因为热能积累导致热膨胀，从而在一定程度上增加了采用极紫外光光刻技术的半导体制程的不稳定性。

实用新型内容

本实用新型提供了一种极紫外光光罩，可以解决相关技术中提供的极紫外光光罩易受热膨胀的问题，提高了采用极紫外光。

一方面，本实用新型提供了一种极紫外光光罩基底，包括：

基板，所述基板包括热电材料；

导热层，所述导热层形成于所述基板上；以及

反射层，所述反射层形成于所述导热层上；

其中，所述反射层用于反射入射的极紫外光，所述导热层用于将所述反射层产生的热能传导至所述基板，所述基板用于将热能转化为电能。

可选的，所述热电材料包括碲化铋、碲化铅以及硅锗中的至少一种。

可选的，所述导热层包括导热系数高于1的材料。

可选的，所述导热系数高于1的材料为绝缘体。

可选的，所述反射层包括依次堆叠的至少一层复合层；

所述复合层包括高折射层与低折射层；

所述高折射层包含的材料的折射率高于所述低折射层包含的材料。

可选的，所述反射层上还形成有钌系保护层。

可选的，所述反射层和所述钌系保护层之间还形成有阻挡层。

可选的，所述阻挡层包括钛、铝、镍、铂、铅、钨、钼、钴以及铜中的至少一种金属元素；或者

所述阻挡层包括所述至少一种金属元素的氮化物；或者

所述阻挡层包括所述至少一种金属元素的硅化物；或者

所述阻挡层包括所述至少一种金属元素的硅氮化物。

另一方面，本实用新型提供了一种极紫外光光罩，包括：

如上任一所述的极紫外光光罩基底；

图形层，所述图形层形成于所述极紫外光光罩基底上；以及

导热板，所述导热板设置于所述极紫外光光罩基底下。