[实用新型]一种在真空状态下对测温镜片更换的装置

说明书

本实用新型提供了一种在真空状态下对测温镜片更换的装置,包括炉体，所述炉体形成炉体腔室；三通支架，其第一端安装测温镜片，第二端与炉体腔室连通；隔离元件，其安装在所述三通支架的第二端，该隔离元件能够打开或关闭，该隔离元件关闭时将测温镜片从炉体腔室中隔离出来，以形成包含测温镜片的高温观察窗腔室；充排气机构，其与三通支架的第三端连接。本实用新型通过设置三通支架和隔离元件，将包含测温镜片的高温观察窗腔室从炉体腔室中隔离出来，在不影响温度测量的情况下，有效的避免了长晶关键时期因高温观察窗测温镜片受污染造成对长晶温度控制精度的影响，使得晶体在生长的关键时期得到精确有效控制。

技术领域

本实用新型涉及一种在真空状态下对测温镜片更换的装置，属于碳化硅生产制备的技术领域。

背景技术

目前，PVT法(物理气相传输法)是生长碳化硅单晶最成熟的方法。在PVT法碳化硅单晶生长过程中，通常采用碳化硅源粉做原料，其生长装置由石墨坩埚和在坩埚外部包裹的多孔绝缘石墨保温层组成。碳化硅单晶生长过程中，生长室内温度会达到2400℃，甚至更高。为实现对炉内温度的精确控制，只能对生长坩埚顶部或底部进行红外测温并加以控制。而碳化硅源粉和石墨坩埚在如此高温下容易在其表面形成大量碳粉尘，石墨保温层也会产生更多的粉尘甚至颗粒。随内部气体的流动随处扩散，飘落在炉体顶部或底部的测温孔镜片上，在镜片上堆积至一定程度后对测温光路径形成一定阻碍，严重影响对炉膛内部温度的精确测量，继而影响长晶控制模式中最直接的温度控制模式在晶体生长控制过程中的实施。

目前，PVT法(物理气相传输法)生长碳化硅单晶均采用中频电磁感应加热电源，其加热控制方式有电流控制、功率控制和温度控制三种模式。而长晶中最关键的是对其温度的控制，但现常用的是电流和功率两种控制方式间接的控制生长室内温度。此方式生长过程中可变性较大，且批量生产统一性差，严重制约着此产业的规模化和自动化生产。而采用温度控制模式，测温精度是制约控制精度的最关键因素，主要表现在测温光线路径的污染上。且采用高温自蔓延合成法制备碳化硅粉料中也存在同样的在制备工艺过程中测温镜片受污染的问题。

现有技术CN206244922U中公开了一种提高碳化硅单晶生长过程中温度测量准确性的装置，包括：吹扫器、法兰、玻璃视窗、测温孔和红外测温仪，所述吹扫器固定于测温孔处的法兰内侧，所述法兰位于测温孔的上方，所述玻璃视窗位于所述法兰上侧，所述红外测温仪位于所述玻璃视窗上方并与测温孔相对应，其中：所述吹扫器包括：带气孔的圆环形管路和进气管，所述圆环形管路两端各连一支进气管，所述进气管一端连接圆环形管路，另一端贯穿所述法兰与外部的进气管路相连，所述气孔位于所述圆环形管路内侧管壁，其开孔方向与水平面夹角范围为0-90度，用于使气体直接吹扫玻璃视窗内侧表面，产生的气流阻止粉尘向视窗方向运动，保证视窗内表面的洁净度。但是该专利技术中的吹扫器会影响碳化硅单晶生长过程中的真空状态，且该技术不涉及对受污染测温镜片进行更换。而本申请的技术方案是涉及在碳化硅晶体生长过程中可对受污染的高温观察测温镜片进行更换的装置。

实用新型内容

为了解决上述问题，本实用新型提供了一种在真空状态下对测温镜片进行更换的装置，该装置通过设置隔离元件，可方便对测温镜片进行更换，可实现在真空状态下对测温镜片更换，且对碳化硅生产环境影响极小。

本申请采用的技术方案如下：

一种在真空状态下对测温镜片进行更换的装置，包括：

炉体,所述炉体形成炉体腔室；

三通支架，其第一端安装测温镜片，第二端与所述炉体腔室连通；

隔离元件，其安装在所述三通支架的第二端上，该隔离元件能够打开或关闭，该隔离元件关闭时将测温镜片从炉体腔室中隔离出来，以形成包含测温镜片的高温观察窗腔室；

充排气机构，其与所述三通支架的第三端连接。

优选的，所述隔离元件为超高真空手动插板阀。