[实用新型]LPCVD和ALD两用布气装置

说明书

LPCVD和ALD两用布气装置，包括加热炉，加热炉炉口处设置有用于连接布气装置的紧固法兰，紧固法兰沿轴向远离加热炉的一侧设有两个同轴连接的布气法兰，两个布气法兰与紧固法兰通过螺栓配合连接，设沿布气法兰的轴向靠近加热炉的一侧为内、远离加热炉的一侧为外，所述位于外侧的那个布气法兰的外侧设有一个与布气法兰相匹配的炉口盖板。采用本装置可以使一个加热炉兼容两种镀膜工艺，可以减少加热炉的采购量，减少成本而且还可以节省占用空间。

技术领域

本实用新型涉及一种LPCVD和ALD两用布气装置。

背景技术

LPCVD和ALD是化学气相沉积镀膜工艺中的两种常用的镀膜工艺，两者都需要在真空炉管式反应器中进行，但是由于LPCVD和ALD的原料和工艺细节不同，所以其对应的布气装置不能共用。现有技术中，是对LPCVD和ALD分别设置反应炉和与之相匹配布气装置，两种工艺分别准备一套反应炉设备成本较高，而且占地面积较大。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种LPCVD和ALD两用布气装置，其通过一套设备即可兼容LPCVD和ALD两种镀膜工艺。

为解决上述技术问题，本实用新型提供了LPCVD和ALD两用布气装置，包括加热炉，加热炉炉口处设置有用于连接布气装置的紧固法兰，紧固法兰沿轴向远离加热炉的一侧设有两个同轴连接的布气法兰，两个布气法兰与紧固法兰通过螺栓配合连接，设沿布气法兰的轴向靠近加热炉的一侧为内、远离加热炉的一侧为外，所述位于外侧的那个布气法兰的外侧设有一个与布气法兰相匹配的炉口盖板。

为简单说明问题起见，以下对本实用新型所述的LPCVD和ALD两用布气装置均简称为本装置。

本装置的优点在于：采用本装置可以使一个加热炉兼容两种镀膜工艺，可以减少加热炉的采购量，减少成本而且还可以节省占用空间。

两个布气法兰分别对应LPCVD和ALD两种镀膜工艺，设LPCVD所用的布气法兰为布气法兰a，ALD所用的布气法兰为布气法兰b：

使用低压化学气相沉积模式时，开启对应的布气法兰a的管道，同时将布气法兰b的管道关闭，使用石英舟作为载体，硅片方向和气流方向垂直；使用原子层沉积模式时，开启对应的布气法兰b的管道，同时将布气法兰a的管道关闭，使用金属舟，硅片方向和气流方向平行。

为达到本实用新型更好的使用效果，其优选方案如下：

作为优选的，所述的任意一个布气法兰形状为圆形，所述的布气法兰的周向内侧设有若干第一环形槽，所述的若干第一环形槽沿布气法兰轴向间隔布置，每个第一环形槽的开口侧均设有与第一环形槽相匹配的挡圈，挡圈的周向内侧与布气法兰周向内侧相平齐，每个第一环形槽与对应的挡圈形成一个环形气道，所述的每个挡圈周向均布有若干连通第一环形槽内外的通孔，所述的每个通孔上均设有与通孔相匹配的柱塞，所述的柱塞为实心柱塞或带有穿孔的柱塞，布气法兰周向外侧设有若干气孔，气孔在布气法兰外侧沿布气法兰周向间隔布置，所述的气孔与第一环形槽一一对应且相对应的气孔与第一环形槽相连通。

这种布气法兰的结构布气均匀且可以通过更换不同孔径的柱塞或者实心柱塞来调节进气的大小、流向，从而应对不同种类的镀膜需求。

作为优选的，所述的布气法兰内设有一个沿布气法兰周向布置的环形水道，所述的环形水道内设有一个与环形水道相匹配的隔板，布气法兰周向外侧位置上对应环形水道中隔板的两侧处分别设有一个连通环形水道的通道。

两个与环形水道连通的通道一个为进水口、另一个为出水口，这样可以在布气法兰内构成循环水路，对布气法兰起到降温的作用，保护布气法兰不被加热炉高温损坏。

作为优选的，所述的布气法兰至少一个轴向侧面上设有沿布气法兰周向布置的第二环形槽，所述的第二环形槽的开口处为收口结构。