[实用新型]过电压吸收电路及单相Heric逆变拓扑

权利要求书

1.一种过电压吸收电路，其特征在于，应用于单相Heric逆变拓扑中，所述过电压吸收电路包括：钳位电容、吸收电阻、第一二极管和第二二极管；其中：

所述钳位电容的一端和所述吸收电阻的一端，均与所述单相Heric逆变拓扑中的两横管的发射极相连；

所述钳位电容的另一端和所述吸收电阻的另一端，均与所述第一二极管的一端和所述第二二极管的一端相连；

所述第一二极管的另一端与所述两横管中的一个横管的集电极相连；

所述第二二极管的另一端与所述两横管中的另一个横管的集电极相连。

2.根据权利要求1所述的过电压吸收电路，其特征在于，所述第一二极管的阳极与所述钳位电容相连，所述第一二极管的阴极与对应横管的集电极相连；

所述第二二极管的阳极与所述钳位电容相连，所述第二二极管的阴极与对应横管的集电极相连。

3.根据权利要求1所述的过电压吸收电路，其特征在于，所述第一二极管的阴极与所述钳位电容相连，所述第一二极管的阳极与对应横管的集电极相连；

所述第二二极管的阴极与所述钳位电容相连，所述第二二极管的阳极与对应横管的集电极相连。

4.根据权利要求2所述的过电压吸收电路，其特征在于，所述过电压吸收电路还包括：第一电阻和第二电阻；

所述第一电阻的一端与所述第一二极管的阳极相连，所述第一电阻的另一端分别与，所述钳位电容和所述吸收电阻均远离横管发射极的一端相连；

所述第二电阻的一端与所述第二二极管的阳极相连，所述第二电阻的另一端分别与，所述钳位电容和所述吸收电阻均远离横管发射极的一端相连。

5.根据权利要求3所述的过电压吸收电路，其特征在于，所述过电压吸收电路还包括：第三电阻和第四电阻；

所述第三电阻的一端与所述第一二极管的阴极相连，所述第三电阻的另一端分别与，所述钳位电容和所述吸收电阻均远离横管发射极的一端相连；

所述第四电阻的一端与所述第二二极管的阴极相连，所述第四电阻的另一端分别与，所述钳位电容和所述吸收电阻均远离横管发射极的一端相连。

6.根据权利要求1-5任一所述的过电压吸收电路，其特征在于，所述钳位电容包括两个并联的电容。

7.根据权利要求1-5任一所述的过电压吸收电路，其特征在于，所述吸收电阻包括多个串联电阻。

8.根据权利要求1-5任一所述的过电压吸收电路，其特征在于，所述第一二极管和所述第二二极管均为：SIC二极管，或者，快恢复二极管。

9.一种单相Heric逆变拓扑，其特征在于，包括：

两个桥臂；

串联连接于两个所述桥臂中间点之间的两个横管；

以及，如权利要求1-8任一所述的过电压吸收电路。

10.根据权利要求9所述的单相Heric逆变拓扑，其特征在于，所述两个横管均为绝缘栅双极型晶体管IGBT或者场效应晶体MOS管。