[实用新型]靶材利用率改善型溅射源及气相沉积设备

权利要求书

1.靶材利用率改善型溅射源，其特征在于：包括支柱（1），所述支柱（1）上共轴设置有磁体座（2），所述磁体座（2）上设置有磁体（3），所述支柱（1）的外周共轴且间隙设置有可相对其自转的旋转套（4），所述旋转套（4）上共轴设置有套装在磁体座（2）外周且与磁体座（2）保持间隙的靶材固定套（5），所述靶材固定套（5）上设置有靶材（6）。

2.根据权利要求1所述的靶材利用率改善型溅射源，其特征在于：所述支柱（1）与所述磁体座（2）相对的一端插接，且它们相对的连接盘通过锁定件（7）锁定。

3.根据权利要求2所述的靶材利用率改善型溅射源，其特征在于：所述锁定件（7）包括两个组合成环状的C形构件，两个所述构件的内壁形成有位置对应的两道半圆形的凸条，每个构件的一个凸条可嵌入到所述支柱（1）顶部的卡槽（11）中，另一条凸条可嵌入所述磁体座（2）底部的卡接槽（21）中。

4.根据权利要求1所述的靶材利用率改善型溅射源，其特征在于：所述旋转套（4）通过两个间隙设置的轴承（8）连接所述支柱（1），且所述旋转套（4）和所述支柱（1）之间还设置有至少一限位环（9）。

5.根据权利要求1所述的靶材利用率改善型溅射源，其特征在于：所述旋转套（4）的顶部具有对接盘（41），所述对接盘（41）与一卡环（10）对接，它们配合形成一锥台状凸缘（20），所述卡环（10）的内孔为沉孔，其靠近对接盘（41）的一端的直径大于相对的另一端的直径，且所述卡环（10）及对接盘（41）通过限位圈（70）锁定；所述靶材固定套（5）的侧壁靠近底部的区域形成有卡槽（51），其底部延伸到所述对接盘与卡环（10）的衔接面处，所述旋转套（4）、对接盘（41）及靶材固定套（5）围合形成一空间（30），所述空间（30）处设置有限位条。

6.根据权利要求1所述的靶材利用率改善型溅射源，其特征在于：所述磁体座（2）和靶材固定套（5）之间的间隙在2-3mm之间。

7.根据权利要求1所述的靶材利用率改善型溅射源，其特征在于：所述支柱（1）与磁体座（2）上设置有连通的冷却通道（40）。

8.气相沉积设备，其特征在于:包括权利要求1-7任一所述的靶材利用率改善型溅射源，所述靶材利用率改善型溅射源的旋转套（4）连接驱动其自转的动力机构。