[实用新型]一种引脚保护壳一体式的场效应管

说明书

本实用新型公开了一种引脚保护壳一体式的场效应管，其包括：场效应管本体，所述场效应管本体外侧壁上设有滑动槽，所述场效应管本体利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流；以及保护壳，所述保护壳与所述场效应管本体活动连接，所述保护壳内侧壁上设有与所述滑动槽相配合的凸体。采用上述设计，使得本实用新型能有效的保护引脚，且结构巧妙，一体式的设计不会脱离遗失，操作简单，便于制作和推广使用。

技术领域

本实用新型涉及场效应管，特别是涉及一种引脚保护壳一体式的场效应管。

背景技术

场效应管，主要有两种类型：结型场效应管(junction FET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET)，由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107～1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。传统的场效应管由于引脚没有得到有效保护，在移动时容易对引脚造成损害。

因此，现在亟需设计一种能解决上述一个或者多个问题的引脚保护壳一体式的场效应管。

实用新型内容

为解决现有技术中存在的一个或者多个问题，本实用新型提供了一种引脚保护壳一体式的场效应管。

本实用新型为达到上述目的所采用的技术方案是：一种引脚保护壳一体式的场效应管，其特征在于，所述引脚保护壳一体式的场效应管包括：

场效应管本体，所述场效应管本体外侧壁上设有滑动槽，所述场效应管本体利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流；以及

保护壳，所述保护壳与所述场效应管本体活动连接，所述保护壳内侧壁上设有与所述滑动槽相配合的凸体。

在一些实施例中，所述场效应管本体包括引脚，所述引脚与所述场效应管本体相连的一端设有斜坡。

在一些实施例中，所述滑动槽设置在与所述引脚相邻的外侧壁上。

在一些实施例中，所述滑动槽靠近所述引脚的一端设有斜坡。

在一些实施例中，所述保护壳上设有与所述引脚相配合的通孔。

本实用新型的有益效果是：相较于现有技术，本实用新型包括：场效应管本体，所述场效应管本体外侧壁上设有滑动槽，所述场效应管本体利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流；以及保护壳，所述保护壳与所述场效应管本体活动连接，所述保护壳内侧壁上设有与所述滑动槽相配合的凸体。采用上述设计，使得本实用新型能有效的保护引脚，且结构巧妙，一体式的设计不会脱离遗失，操作简单，便于制作和推广使用。

附图说明

图1为本实用新型较佳实施例引脚使用状态的结构示意图；

图2为本实用新型较佳实施例引脚使用状态另一视角的结构示意图；

图3为本实用新型较佳实施例保护引脚状态的结构示意图；

图4为本实用新型较佳实施例场效应管本体的结构示意图；

图5为本实用新型较佳实施例保护壳的结构示意图。

图中：

10、场效应管本体；11、滑动槽；12、引脚；

20、保护壳；21、凸体；22、通孔。

具体实施方式