[实用新型]一种光刻胶去除机构

说明书

本实用新型公开了一种光刻胶去除机构，包括传送部，所述传送部包括两侧平行布置的带式传输机，沿带式传输机的进给方向依次设置第一处理部和第二处理部，所述第一处理部和第二处理部均包括能够上下移动的上盖体和下盖体，所述上盖体和下盖体关于带式传输机的工作面对称布置，本光刻胶去除机构通过第一处理部喷淋去离子水，对光刻胶表层的硬壳进行软化，随后在微波发生装置的作用下，利用等离子体对光刻胶进行轰击，以去除软化后的硬壳层和部分光刻胶，随后在第二处理部内部喷淋清洗液，对剩余的光刻胶进行清洗，由于硬壳被软化，其去除所需的等离子体轰击能量下降，降低等离子体对衬底的损伤，且减少清洗液清洗所需时间。

技术领域

本实用新型涉及光刻设备技术领域，具体为一种光刻胶去除机构。

背景技术

光刻工艺是半导体器件制造过程中的一个重要步骤，其过程包括衬底的准备、光刻胶的涂膜、软烘干、曝光、显影、硬烘干、刻蚀或离子注入和光刻胶的去除，其中光刻胶的去除，主要是为了将剩余的光刻胶去除，以免对后续的工序造成影响，现有的去除光刻胶方式分为湿法去胶和干法去胶两种，但是在进行离子注入后，光刻胶的表层会产生一种硬质壳体，通过干法去胶时，需要较大能量的离子对硬壳进行轰击，且能量控制不准时，会对衬底造成破坏影响产品质量，而单纯依靠湿法去胶，虽然能降低对衬底的损伤，但是由于硬壳的存在，去胶所需加工时间较长，且很难将光刻胶完全去除，因此需要一种新型设备或能够在保证光刻胶清除完全的情况下，降低对衬底的损伤。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是克服现有的缺陷，提供一种光刻胶去除机构，通过第一处理部喷淋去离子水，对光刻胶表层的硬壳进行软化，随后在微波发生装置的作用下，利用等离子体对光刻胶进行轰击，以去除软化后的硬壳层和部分光刻胶，随后在第二处理部内部喷淋清洗液，对剩余的光刻胶进行清洗，由于硬壳被软化，其去除所需的等离子体轰击能量下降，降低等离子体对衬底的损伤，且减少清洗液清洗所需时间，可以有效解决背景技术中的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种光刻胶去除机构，包括传送部，所述传送部包括两侧平行布置的带式传输机，沿带式传输机的进给方向依次设置第一处理部和第二处理部，所述第一处理部和第二处理部均包括能够上下移动的上盖体和下盖体，所述上盖体和下盖体关于带式传输机的工作面对称布置，所述上盖体和下盖体结合后内部形成密闭空间，所述上盖体的内侧壁设置与外部液体供应装置连通的环形水管，所述水管内部均匀布置喷淋头，所述下盖体的底部设置排水口；

所述第一处理部的上盖体侧壁设置进气口和排气口，所述排气口通过气管连通设置抽气泵，所述第一处理部的上盖体顶部设置贯通的安装孔，所述安装孔内部密封安装微波发生装置。

作为本实用新型的一种优选技术方案，所述传送部的两侧分别两组线速度相同且方向相反的带式传输机，两组带式传输机沿竖直平面平行布置，且上层带式传输机的底部部分与下层带式传输机的底部接触安装，且接触位置的传输带内层部分均匀转动安装支撑辊，在进行清洗作业时，将工件通过网状托盘进行固定后，将托盘至于两组带式传输机之间，通过带式传输机的进给，带动托盘进给，从而实现工件的进给，且便于保证工件在清洗过程中的稳定性。

作为本实用新型的一种优选技术方案，所述第一处理部的进气口处设置第一电磁阀，所述第一电磁阀通过气管与外置反应气体供应装置连通，通过电磁阀保证上盖体和下盖体所围成的空间的密闭性，同时能够控制反应气体的注入量。

作为本实用新型的一种优选技术方案，所述下盖体底部的排水口处设置第二电磁阀，所述第二电磁阀与外置的污水处理设备连通，便于底部聚集的清洗废水排出。

作为本实用新型的一种优选技术方案，所述上盖体的上表面和下盖体的下表面分别竖直设置伸缩部，所述伸缩部的另一端与传送部固定安装，通过伸缩部动作，带动上盖体和下盖体的上下移动，从而使两者围成空间的密闭。