[实用新型]半导体制作工艺设备有效
申请号: | 201921320146.9 | 申请日: | 2019-08-14 |
公开(公告)号: | CN210516677U | 公开(公告)日: | 2020-05-12 |
发明(设计)人: | 马志超;林国豪;谈文毅 | 申请(专利权)人: | 联芯集成电路制造(厦门)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H05F3/02 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 361100 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 制作 工艺设备 | ||
本实用新型公开一种半导体制作工艺设备,包括一液体处理制作工艺单元以及一空气气流系统。该液体处理制作工艺单元包括一承载台用于托持一晶片、一旋转机构与该承载台连接、一液体分配器用于将一液体分配至设置在该承载台上的晶片的表面上。该空气气流系统用于在该液体处理制作工艺单元中产生一空气气流直接吹拂设置在该承载台上的该晶片的该表面。一离子产生器,整合在该空气气流系统中,用于提供离子至该空气气流中。
技术领域
本实用新型涉及一种半导体制作工艺设备,特别是涉及一种具有静电去除装置的半导体制作工艺设备。
背景技术
在半导体的制作工艺中,会无法避免地在基底(例如晶片)或制作工艺设备上产生累积的静电荷。累积在基底上的静电荷可能会在基底内转移而产生电流,进而损坏制作在基底上的半导体元件导致良率下降,也可能会产生电场,进而吸附带电颗粒或者极化中性颗粒至基底上,造成结构缺陷。另一方面,累积在制作工艺设备上的静电荷不仅可能吸附电颗粒或者极化中性颗粒造成制作工艺污染或晶片刮伤,甚至还可能会产生静电荷瞬间放电(ESD)而破坏基底上的半导体元件,严重时还会造成制作工艺设备当机,导致报废。
实用新型内容
本实用新型的一目的在于提供一种具有静电去除装置的半导体制作工艺设备,可有效减少半导体制作工艺中累积在晶片及/或晶片传送臂上的静电荷。
为达成上述目的,本实用新型提供一种半导体制作工艺设备,包括一液体处理制作工艺单元以及一空气气流系统。该液体处理制作工艺单元包括一承载台,设置在该液体处理制作工艺单元的下部,用于在一液体处理制作工艺期间水平的托持一晶片、一旋转机构,连接该承载台,用于使该承载台围绕一旋转轴旋转,以及一液体分配器,用于将一液体分配至设置在该承载台上的该晶片的一表面上。该空气气流系统用于在该液体处理制作工艺单元中产生一空气气流,该空气气流直接吹拂设置在该承载台上的该晶片的该表面。一离子产生器,整合在该空气气流系统中,用于提供离子至该空气气流中。
该离子产生器交替的提供正离子和负离子至该空气气流中。
该空气气流包含氮气。
该空气气流系统包括:进气管路,设置在该液体处理制作工艺单元的一上部,用于提供该空气气流至该液体处理制作工艺单元中;空气过滤装置,设置在该液体处理制作工艺单元的上部并与该进气管路连接,用于过滤该空气气流;以及排气管路,设置在该液体处理制作工艺单元的一下部,用于将该空气气流自该液体处理制作工艺单元排除。
该离子产生器整合在该空气过滤装置中。
为达成上述目的,本实用新型另提供一种半导体制作工艺设备,包括一液体处理制作工艺单元,用于对一晶片进行一液体处理制作工艺、一暂存室,用于存放一清洗盘,该清洗盘用于在一清洗制作工艺期间清洗该液体处理制作工艺单元、一传送臂,用于在该半导体制作工艺设备中传送该晶片或该清洗盘。该液体处理制作工艺单元包括承载台、一旋转机构,连接该承载台,用于使该承载台围绕一旋转轴旋转、一制作工艺液体分配器,用于在该液体处理制作工艺期间将一制作工艺液体分配至设置在该承载台上的该晶片,以及一清洗液体分配器,用于在该清洗制作工艺期间将一清洗液体分配至设置在该承载台上的该清洗盘上。该清洗盘包括静电清除材料,可于该传送臂接触该清洗盘时清除该传送臂上的静电荷。
该暂存室包括一接地线路,用来清除该清洗盘上的静电荷。
为达成上述目的,本实用新型又另提供一种用于清洗半导体制作工艺设备的清洗盘,其包括静电清除材料,可于该半导体制作工艺设备的一传送臂接触该清洗盘时清除该传送臂上的静电荷。
该静电清除材料包括金属或有机导电材料。
是将该清洗盘设置在该半导体制作工艺设备的一承载台上并高速旋转,同时提供一清洗液体至该清洗盘上以使该清洗液体被喷溅至该基底旋转制作工艺装置的一内壁而达到清洗效果。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造