[实用新型]一种金属纳米天线增强的超紧凑石墨烯电光调制器

权利要求书

1.一种金属纳米天线增强的超紧凑石墨烯电光调制器，其特征在于：包括自下而上依次设置的衬底，以及在衬底上刻蚀的硅波导层(4)和低折射率介质覆盖层(3)，在所述的硅波导层(4)上设置单层石墨烯层(8)，在所述的单层石墨烯层(8)与硅波导层(4)之间设置充当两电极电容的绝缘介质层(7)，在单层石墨烯层(8)的上方或者下方设置金属纳米天线阵列层(10)用以提供局域等离子谐振。

2.根据权利要求1所述的一种金属纳米天线增强的超紧凑石墨烯电光调制器，其特征在于：所述的金属纳米天线阵列层(10)为金属纳米条带天线阵(11)。

3.根据权利要求1所述的一种金属纳米天线增强的超紧凑石墨烯电光调制器，其特征在于：所述的硅波导层(4)厚度为220到340纳米，宽度为300到600纳米。

4.根据权利要求1所述的一种金属纳米天线增强的超紧凑石墨烯电光调制器，其特征在于：所述的单层石墨烯层(8)外接金属电极(9)作为顶电极，所述的硅波导层(4)连接的薄层硅延伸层(5)与沉积的底层金属电极(6)构成底电极。

5.根据权利要求4所述的一种金属纳米天线增强的超紧凑石墨烯电光调制器，其特征在于：所述的薄层硅延伸层(5)厚度小于100纳米。

6.根据权利要求1所述的一种金属纳米天线增强的超紧凑石墨烯电光调制器，其特征在于：所述的衬底为包含有Handle层(1)以及BOX层(2)的SOI衬底。

7.根据权利要求6所述的一种金属纳米天线增强的超紧凑石墨烯电光调制器，其特征在于：所述的BOX层(2)的厚度大于1微米。