[实用新型]一种射频芯片有效
| 申请号： | 201921304049.0 | 申请日： | 2019-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN210136503U | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 赵卫军;王小保 | 申请（专利权）人： | 上海猎芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | G06K19/077 | 分类号： | G06K19/077 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人： | 柳岩 |
| 地址： | 200083 上海市虹口区花*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 射频 芯片 | ||
1.一种射频芯片，其特征在于，包括第一基板，设置在第一基板上的射频放大IC电路，用于为所述射频放大IC电路提供阻抗匹配的射频匹配电路；
所述射频匹配电路包括第一电容、第二电容、第一电感、以及第二电感；
所述射频匹配电路的第一电容、第二电容、以及第一电感集成在所述射频放大IC电路中；
所述射频匹配电路的第二电感设置在所述射频放大IC电路的外部。
2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第一电容和/或所述第二电容为MIM电容。
3.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第一电感的电感值小于所述第二电感的电感值。
4.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第二电感为设置所述第一基板上的绕线电感或者为设置在所述第一基板上的SMD电感。
5.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第一电感为并联的多根跳线。
6.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第一电容的第一端与所述射频放大电路的射频信号输出端连接，所述第一电容的第二端与所述第二电感的第一端连接；
所述第一电感的第一端连接至所述第二电感的第一端，所述第一电感的第二端接地；
所述第二电容的第一端连接至所述第二电感的第二端，所述第二电容的第二端接地。
7.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述射频匹配电路还包括第三电容，所述第三电容集成在所述射频放大IC电路中；
所述第一电感的第一端与所述射频放大电路的射频信号输出端连接，所述第一电感的第二端与所述第二电感的第一端连接；
所述第一电容的第一端连接至所述第二电感的第一端，所述第一电容的第二端接地；
所述第二电容的第一端连接至所述第二电感的第二端，所述第二电容的第二端接地；
所述第三电容的第一端连接至所述第二电感的第二端。
8.根据权利要求7所述的芯片，其特征在于，所述第三电容为MIM电容。
9.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第一电感的第一端与所述射频放大电路的射频信号输出端连接，所述第一电感的第二端与所述第二电容的第一端连接；
所述第一电容的第一端连接至所述第二电容的第一端，所述第一电容的第二端接地；
所述第二电感的第一端连接至所述第二电容的第二端，所述第二电感的第二端接地。
10.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述射频放大IC电路包括第二基板和设置在所述第二基板上的多个射频放大电路。
11.根据权利要求1-10任一项所述的芯片，其特征在于，所述芯片为射频前端芯片。
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