[实用新型]一种单向ESD保护器件有效
| 申请号： | 201921278836.2 | 申请日： | 2020-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN210723025U | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 宋文龙;杨钰琳;张鹏 | 申请（专利权）人： | 成都吉莱芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/732 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 查鑫利 |
| 地址： | 610000 四川省成都市自由贸易试*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 单向 esd 保护 器件 | ||
1.一种单向ESD保护器件，其特征在于：包含N+衬底材料区（202），N+衬底材料区（202）上方设P-外延层一区（203）和P-调整区（209）；所述P-外延层一区（203）上方设P-外延层二区Ⅰ（205），P-调整区（209）上方设P-外延层二区Ⅱ（211）；所述P-外延层二区Ⅰ（205）顶部设N+扩散区（206），P-外延层二区Ⅱ（211）顶部设P+扩散区（208）；所述P-外延层二区Ⅰ（205）和P-外延层二区Ⅱ（211）上方分开设表面钝化层（210），将N+扩散区（206）和P+扩散区（208）顶面的中间部位露出；所述N+扩散区（206）、P+扩散区（208）中间露出的部位和表面钝化层（210）上方设金属层Ⅰ（207）；所述N+衬底材料区（202）底部设金属层Ⅱ（201）；所述N+衬底材料区（202）上设槽区（204），槽区（204）向上直线延伸，经P-外延层一区（203）和P-调整区（209）之间，直至P-外延层二区Ⅰ（205）顶部边沿。
2.按照权利要求1所述的一种单向ESD保护器件，其特征在于：所述P+扩散区（208）、P-外延层二区Ⅱ（211）、P-调整区（209）、N+衬底材料区（202）组成DIODE单元。
3.按照权利要求1所述的一种单向ESD保护器件，其特征在于：所述N+扩散区（206）、P-外延层二区Ⅰ（205）、P-外延层一区（203）、N+衬底材料区（202）组成NPN单元。
4.按照权利要求2所述的一种单向ESD保护器件，其特征在于：所述DIODE单元与NPN单元的电学隔离由槽区（204）形成。
5.按照权利要求1所述的一种单向ESD保护器件，其特征在于：所述P-调整区(209)通过引入磷注入退火的补偿工艺，使P-调整区（209）的浓度低于P-外延层一区（203），保证当金属层Ⅱ（201）接高电位，金属层Ⅰ（207）接低电位时，电流通过NPN单元。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
