[实用新型]紫外可见光光敏复合介质栅MOSFET探测器测试系统

说明书

本实用新型涉及晶圆在片测试技术领域，尤其是一种紫外可见光光敏复合介质栅MOSFET探测器测试系统，包括晶圆测试探针台、测试测量仪表、光源发生以及调节系统、系统自动控制及数据处理软件，晶圆测试探针台用于对待测件进行固定及测试操作，测试测量仪表与待测件连接，用于对待测件进行数据检测和收集，光源发生以及调节系统用于发出测试光源至晶圆待测件，用于对待测件进行测试光源的输出控制，系统自动控制及数据处理软件分别与晶圆测试探针台和光源发生以及调节系统通信连接，本实用新型极大地提高了紫外可见光光敏复合介质栅MOSFET探测器测试效率、封装良率，提高了生产效率，降低了生产成本。

技术领域

本实用新型涉及晶圆在片测试技术领域，具体领域为一种紫外可见光光敏复合介质栅MOSFET探测器测试系统。

背景技术

光敏复合介质栅MOSFET探测器的每个单元的基本结构是在基底P型半导体材料上方的两侧设有N型半导体区构成源极和漏极，基底正上方分别设有二层绝缘介质材料和控制栅极，二层绝缘介质材料之间设有光电子存储层；与控制栅极接触的第二绝缘介质是是阻止光电子存储层中存储的电荷流失到栅极的材料，源漏极在搜集光电子和储存光电子到光电子储存层时均为悬空结构；第一绝缘介质即底层介质，采用氧化硅、Si0N或其它高介电常数介质；第二绝缘介质层的材料即顶层介质，采用氧化硅/氮化硅/氧化硅、氧化硅、氧化铝或其它高介电常数介质材料；且基底层或栅极面至少有一处为对探测器探测波长透明或半透明的窗口。

对于紫外可见光光敏复合介质栅MOSFET的测试，在现有技术中，通常是先将其封装完成后，再连接测试系统进行测试；

由于晶圆生产良率无法达到100％，因此如果将所有芯片都先封装好再测试，会将不良样品也进行了封装，这将导致工作量的增加，生产成本的增加，也将严重影响生产效率。为了在封装前就甄别好器件的性能和等级，提高测试效率，提高良品率，对于紫外可见光光敏复合介质栅MOSFET的测试，需要一套系统来实现的晶圆在片测试。晶圆级别在片测试系统在搭建中相比于封装级别系统的难点在于其不仅需要完成的光源产生、调制和传导装置，更需要设计完整的方法实现在晶圆级别的自动耦合、自动测试、数据自动上传处理、产品等级自动划分等。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种紫外可见光光敏复合介质栅MOSFET探测器测试系统，以解决现有技术中探测器芯片测试效率不高、且工作量高，生产成本高的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种紫外可见光光敏复合介质栅MOSFET探测器测试系统，包括晶圆测试探针台、测试测量仪表、光源发生以及调节系统、系统自动控制及数据处理软件，所述晶圆测试探针台用于对待测件进行固定及测试操作，所述测试测量仪表与待测件连接，用于对待测件进行数据检测和收集，所述光源发生以及调节系统用于发出测试光源至晶圆待测件，用于对待测件进行测试光源的输出控制，所述系统自动控制及数据处理软件分别与晶圆测试探针台和光源发生以及调节系统通信连接，通过系统自动控制及数据处理软件进行相应参数的设置、以及圆测试探针台和光源发生以及调节系统的具体操控。

优选的，所述晶圆测试探针台为电学探针和光学探针设置测试平台，待测件固定于测试平台上，通过电学探针和光学探针对待测件进行电学或光学信号激励，并收集对应电学或光学反馈信号信息。

优选的，所述光源发生以及调节系统包括氙灯光源、聚光系统、斩波器、单色仪、光纤、校准二极管、光屏蔽系统，氙灯光源产生的光源通过聚光系统进行聚集，斩波器对聚集的光源进行频率调节，单色仪与斩波器配合，对调节后的光源进行特定波长的光源过滤并输出，输出的光源通过光纤传输至光屏蔽系统内，光屏蔽系统与晶圆测试探针台为机械固定连接，将输出的光源先照射至校准二极管进行系统校准，再将输出的光源照射至待测件上进行测试。