[实用新型]相变存储器单元和存储器器件

权利要求书

1.一种相变存储器单元，其特征在于，包括：

绝缘层，包括电阻加热元件；以及

多个第一层的堆叠，所述多个第一层由锗、锑和碲的第一合金制成；

其中层的所述堆叠中的每个第一层具有不同比例的锗、锑和碲；并且

其中所述堆叠还包括：位于由所述第一合金制成的两个第一层之间的锗层。

2.根据权利要求1所述的相变存储器单元，其特征在于，所述锗层具有与所述第一层中的每个第一层的厚度不同的厚度。

3.根据权利要求1所述的相变存储器单元，其特征在于，所述锗层掺杂有氮。

4.根据权利要求1所述的相变存储器单元，其特征在于，所述第一合金由Ge₂Sb₂Te₅制成。

5.根据权利要求1所述的相变存储器单元，其特征在于，所述电阻加热元件与所述多个第一层的所述堆叠中的一个第一层接触。

6.根据权利要求1所述的相变存储器单元，其特征在于，所述堆叠中的每个第一层的厚度都大于4nm。

7.根据权利要求1所述的相变存储器单元，其特征在于，所述堆叠包括与所述电阻加热元件接触的区域，所述区域由锗、锑和碲的第二合金制成，其中所述第二合金具有比所述第一合金的锗浓度高的锗浓度。

8.一种相变存储器单元，其特征在于，包括：

绝缘层，包括电阻加热元件；以及

多个第一层的堆叠，所述多个第一层由锗、锑和碲的第一合金制成；

其中层的所述堆叠中的每个第一层具有不同比例的锗、锑和碲；并且

其中所述多个第一层包括两个第一层，并且所述堆叠还包括至少两个锗层，其中所述至少两个锗层中的一个锗层位于所述两个第一层之间。

9.根据权利要求8所述的相变存储器单元，其特征在于，所述锗层均具有与所述第一层中的每个第一层的厚度不同的厚度。

10.根据权利要求8所述的相变存储器单元，其特征在于，所述锗层掺杂有氮。

11.根据权利要求8所述的相变存储器单元，其特征在于，所述第一合金由Ge₂Sb₂Te₅制成。

12.根据权利要求8所述的相变存储器单元，其特征在于，所述电阻加热元件与所述多个第一层的所述堆叠中的一个第一层接触。

13.根据权利要求8所述的相变存储器单元，其特征在于，所述堆叠中的每个第一层的厚度都大于4nm。

14.根据权利要求8所述的相变存储器单元，其特征在于，所述堆叠包括与所述电阻加热元件接触的区域，所述区域由锗、锑和碲的第二合金制成，其中所述第二合金具有比所述第一合金的锗浓度高的锗浓度。

15.一种相变存储器单元，其特征在于，包括：

绝缘层，包括电阻加热元件；以及

多个第一层的堆叠，所述多个第一层由锗、锑和碲的第一合金制成；

其中层的所述堆叠中的每个第一层具有不同比例的锗、锑和碲；并且

其中所述堆叠还包括：被所述多个第一层的所述堆叠覆盖的锗层。

16.根据权利要求15所述的相变存储器单元，其特征在于，所述锗层具有与所述第一层中的每个第一层的厚度不同的厚度。

17.根据权利要求15所述的相变存储器单元，其特征在于，还包括：位于所述多个第一层的所述堆叠中的两个第一层之间的附加锗层。