[实用新型]一种LED芯片

说明书

本实用新型公开了一种LED芯片，包括N端芯片、中间芯片和P端芯片，通过将N电极从芯片的靠边中央位置区域移至边角位置，可有效缩短子芯片中N电极周围靠近边缘的区域与P极引线的距离，通过将P电极靠近子芯片边缘位置移至子芯片的中心区域，有效减短P电极距离子芯片的角落位置的距离，使P电极距离各个角落的电流得以均匀分布，通过将P极引线电极设计成弧形树杈状，增加了引线的长度，从而保证从电极流出的电流能够均匀分布于整个芯片的发光区域，提高LED芯片的发光效率。

技术领域

本实用新型涉及芯片结构领域，尤其涉及一种LED芯片。

背景技术

在现有市场上的LED芯片，常用于照明的LED芯片为高压LED芯片(9V芯片)，用3颗芯片串联方式进行连接，并通过光刻图形使3颗串联的芯片达到最佳的发光效率。在LED芯片工艺中，电极的作用是增加芯片的电流扩展，且现有的芯片电极设计基本是采用对称结构的设计，附图11为现有技术中常见的LED芯片结构，它们普遍具有N电极位于左边第一颗芯片靠左边缘的中央部位，P电极位于右边第三颗芯片靠右边缘的中央部位，P引线也在芯片的边缘位置的特点，使得在同一颗芯片中，电流密度分布不均匀，容易出现反光亮度不一致，管芯部分区域(远离P引线的发光边缘区域)无法得到有效发光的情况。因此，LED芯片的版图布局结构对芯片工作效率来说极其重要，将直接决定芯片的发光区面积占比和光效、电流扩展和芯片质量。目前，有的LED芯片电极版图布局结构不佳，边缘发光区域距离P引线太远，P电极与N电极位置布局不合理，导致芯片的部分发光区域不一致，无法有效发挥芯片的出光效率，且由于电流密度不一致，容易引起热效应不一致，而降低芯片的使用寿命，最终出现LED芯片的电性差、发光不均匀、亮度低、光效差、可靠性差和寿命低等诸多问题。

实用新型内容

本实用新型针对现有技术中的不足，提供一种LED芯片，通过对LED芯片的电极结构布局进行调整改善，达到实现LED芯片发光均匀的目的。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供一种LED芯片，所述LED芯片包括N端芯片、中间芯片和P端芯片；所述N端芯片和所述P端芯片通过所述中间芯片串联连接；所述N端芯片包括用于连接外部电路的N电极，所述P端芯片包括用于连接外部电路的P电极。

优选地，所述N端芯片包括N端P电极，所述N端P电极包括弧形的N端P极主体部和连接于所述N端P极主体部的N端P极引线部；

所述中间芯片包括中间N电极，所述中间N电极包括条形的中间N极主体部和连接于所述中间N极主体部的中间N级引线部，所述中间N电极设于靠近所述N端芯片的一侧，所述中间N极引线部与所述N端P极引线部连接；

所述P端芯片包括P端N电极，所述P端N电极包括条形的P端N极主体部和连接与所述P端N电极主体部的P端N极引线部；

所述中间芯片还包括中间P电极，所述中间P电极包括弧形的中间P极主体部和连接于所述中间P极主体部的中间P极引线部，所述中间P电极设于靠近所述P端芯片的一侧，所述中间P极引线部与所述P端N极引线部连接。

优选地，所述N端芯片、所述中间芯片和所述P端芯片皆为矩形；所述N电极设于所述N端P电极所接入边的对边与上/下边的夹角处；所述P电极设于所述P端芯片的矩形中心位置处。

优选地，所述N端P极主体部与所述N端P极引线部的连接点设于N端芯片的矩形中心位置；所述N端P极主体部的形状为以139μm～143μm为半径，以58°～62°为圆心角的圆弧；所述N端P极主体部所在圆弧的切线与所述N端P极引线部所在水平线的夹角为30°～60°。

优选地，所述中间P极主体部与所述中间P极引线部的连接点设于中间芯片的矩形中心位置；所述中间P极主体部的形状为以163μm～167μm为半径，以38°～42°为圆心角的圆弧；所述中间P极主体部所在圆弧的切线与所述中间P极引线部所在水平线的夹角为88°～92°。