[实用新型]液体回收装置

说明书

本实用新型公开了一种液体回收装置，包括：液体收集结构，其设置在晶圆化学机械研磨机台边缘旁侧，且位于晶圆化学机械研磨机台研磨液喷头下方，其能将晶圆化学机械研磨机台研磨液喷头流出的液体回收；液体导入结构，其一端连接液体收集结构，其另一端置于储液结构中；储液结构，其布置在晶圆化学机械研磨机台边缘旁侧，其用于存储回收的液体；送风装置，其设置在储液结构的旁侧，其能向储液结构内输送新风。本实用新型能收集预流的研磨液并通过扩散蒸发件和送风装置使回收研磨液中的超纯水蒸发，然后将剩余的研磨液输送回研磨机台再次利用，能大幅降低生产成本。

技术领域

本实用新型涉及半导体生产领域，特别是涉及一种用于晶圆化学机械研磨机台(CMP 机台)的液体回收装置。

背景技术

半导体生产制造中，随着制程技术的升级对晶圆表面的平坦程度(Non-uniformity) 的要求越来越高。化学机械研磨或化学机械抛光(Chemical MechanicalPolishing，以下简称CMP)是目前机械加工中实现表面全局平坦化的主流技术，其综合了化学腐蚀作用和机械去除作用。化学研磨将微观表面的凸起部位通过化学腐蚀的作用首先溶解消除掉，与原来相比，表面凹凸差变小从而使之表面更趋于平滑的过程。

化学机械研磨技术综合了化学研磨和机械研磨的优势。单纯的化学研磨，表面精度较高，损伤低，完整性好，不容易出现表面/亚表面损伤，但是研磨速率较慢，材料去除效率较低，不能修正表面型面精度，研磨一致性比较差。单纯的机械研磨，研磨一致性好，表面平整度高，研磨效率高，但是容易出现表面层/亚表面层损伤，表面粗糙度值比较低。化学机械研磨吸收了两者各自的优点，可以在保证材料去除效率的同时，获得较完美的表面。化学机械研磨技术CMP的实施须依赖于大型的操作机台即化学机械研磨机台比如应用材料公司(Applied Materials Inc，以下简称AMAT)LK机台。无论是那种具体的化学机械研磨机台，其大致包括：研磨头、研磨盘、研磨垫(Pad)、研磨头清洗及晶圆装卸单元(head cleanload/unload，以下简称HCLU)，研磨盘上固定有研磨垫，研磨盘上固定有半导体晶圆，研磨的过程中研磨头被施加一定压力，同时研磨液(slurry)在研磨垫和晶圆之间流动，研磨液与晶圆表面发生摩擦从而起到研磨的效果。

为了防止研磨液长时间停止在管路系统中形成结晶，研磨前需进行研磨液预流。现在业界是将预流研磨液直接排放到废液系统，没有专门的回收利用，造成研磨液的浪费，提高了生产成本。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种用于晶圆化学机械研磨机台能将预流研磨液收集的液体回收装置。

为解决上述技术问题，本实用新型提供用于晶圆化学机械研磨机台的液体回收装置，包括

液体收集结构，其设置在晶圆化学机械研磨机台边缘旁侧，且位于晶圆化学机械研磨机台研磨液喷头下方，其能将晶圆化学机械研磨机台研磨液喷头流出的液体回收；

液体导入结构，其一端连接液体收集结构，其另一端置于储液结构中；

储液结构，其布置在晶圆化学机械研磨机台边缘旁侧，其用于存储回收的液体；

送风装置，其设置在储液结构的旁侧，其能向储液结构内输送新风。

进一步改进所述的液体回收装置，还包括：

扩散蒸发件，其设置在储液结构中，且位于储液结构中储存液体液面上方，液体导入结构穿过扩散蒸发件。

进一步改进所述的液体回收装置，还包括：

液体导出结构，其一端设置在储液结构储存液体中，其另一端连接化学机械研磨机台的研磨液储存机构；

泵，其设置在储液结构中，其连接液体导出结构，其将储液结构储存液体泵入化学机械研磨机台研磨液存储机构。