[实用新型]一种低钳位电压单向TVS器件有效
| 申请号： | 201921235540.2 | 申请日： | 2019-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN210272368U | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 邹有彪;王全;倪侠;徐玉豹;王超 | 申请（专利权）人： | 富芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861;H01L27/07;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 胡剑辉 |
| 地址： | 230031 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低钳位 电压 单向 tvs 器件 | ||
1.一种低钳位电压单向TVS器件，其特征在于，包括P型半导体衬底(1)、N型隔离区(2)和N型上掺杂区(3)；
TVS器件的中部设有P型半导体衬底(1)，所述P型半导体衬底(1)的两侧设有N型隔离区(2)，所述P型半导体衬底(1)的上部设有N型上掺杂区(3)，所述N型上掺杂区(3)的两侧设有P型掺杂区(4)，所述P型半导体衬底(1)的下部设有N型下掺杂区(5)；
所述P型半导体衬底(1)的上端表面设有上金属层(7)，所述上金属层(7)的两端设有二氧化硅上绝缘层(6)，所述P型半导体衬底(1)的下端表面设有下金属层(9)，所述下金属层(9)的两端设有二氧化硅下绝缘层(8)；
所述上金属层(7)上设有阳极电极(10)，所述下金属层(9)上设有阴极电极(11)。
2.根据权利要求1所述的一种低钳位电压单向TVS器件，其特征在于，所述N型隔离区(2)的宽度为50-100μm。
3.根据权利要求1所述的一种低钳位电压单向TVS器件，其特征在于，所述N型上掺杂区(3)和P型掺杂区(4)的面积比为4:1-1:1。
4.根据权利要求1所述的一种低钳位电压单向TVS器件，其特征在于，所述N型上掺杂区(3)和P型掺杂区(4)均与阳极电极(10)连接。
5.根据权利要求1所述的一种低钳位电压单向TVS器件，其特征在于，所述P型半导体衬底(1)下端的阴极电极(11)与N型下掺杂区(5)连接。
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