[实用新型]图像传感器及芯片及手持装置有效
申请号: | 201921228828.7 | 申请日: | 2019-07-30 |
公开(公告)号: | CN210429815U | 公开(公告)日: | 2020-04-28 |
发明(设计)人: | 赵维民 | 申请(专利权)人: | 深圳市汇顶科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G06K9/00 |
代理公司: | 北京天驰君泰律师事务所 11592 | 代理人: | 孟锐 |
地址: | 518045 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 芯片 手持 装置 | ||
1.一种图像传感器,其特征在于,所述图像传感器包括半导体衬底和多个像素,其中所述多个像素中的每一像素包括:
光敏传感器,设置于所述半导体衬底;
后端制程堆叠件,设置于所述半导体衬底上,其中所述后端制程堆叠件包括:
多个金属化层;以及
电容器顶部金属层,设置于所述多个金属化层中的两连续金属化层之间,且所述电容器顶部金属具有多条金属栅线形成的偏光层,覆盖于所述光敏传感器之上。
2.如权利要求1所述的图像传感器,另包括微透镜,设置于所述后端制程堆叠件上,使所述后端制程堆叠件位于所述微透镜和所述半导体衬底之间。
3.如权利要求1所述的图像传感器,其中所述偏光层的多条金属栅线用来过滤掉非特定方向的光线。
4.如权利要求3所述的图像传感器,其中所述偏光层的多条金属栅线为平行设置。
5.如权利要求3所述的图像传感器,其中所述偏光层的多条金属栅线之间的间距相等。
6.如权利要求1所述的图像传感器,其中所述两连续金属化层为所述多个金属化层中的最远离所述半导体衬底的两连续金属化层。
7.如权利要求1所述的图像传感器,其中所述偏光层的多条金属栅线的宽度小于所述两连续金属化层中的金属线。
8.如权利要求1所述的图像传感器,其中所述偏光层的多条金属栅线的长度彼此相同。
9.如权利要求1所述的图像传感器,其中所述偏光层的多条金属栅线的长度依据微透镜的形状而设置。
10.如权利要求1所述的图像传感器,另包括:
逻辑电路,包括:
晶体管,设置于所述半导体衬底;以及
金属-绝缘体-金属电容器,设置后端制程堆叠件。
11.如权利要求10所述的图像传感器,其中所述金属-绝缘体-金属电容器包括:
电容下板,设置于所述两连续金属化层中靠近所述半导体衬底的金属化层;以及
电容上板,设置于所述电容器顶部金属层。
12.如权利要求11所述的图像传感器,其中所述电容下板以及所述电容上板耦接至所述两连续金属化层中远离所述半导体衬底的金属化层。
13.一种芯片,适用于屏下光学指纹感测系统,其特征在于,所述芯片包括:
如权利要求1-12中任一项所述的图像传感器。
14.一种手持装置,用以执行屏下光学指纹感测,其特征在于,包括:
显示屏组件;以及
如权利要求1-12中任一项所述的图像传感器,用以获得特定对象的指纹信息。
15.如权利要求14所述的手持装置,其中所述显示屏组件包括:
显示面板;以及
偏光片。
16.如权利要求15所述的手持装置,其中所述偏光片和所述偏光层具有相同的偏光特性。
17.如权利要求15所述的手持装置,其中所述显示屏组件另包括保护盖板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的