[实用新型]一种硅基扇出型封装结构

说明书

本实用新型公开一种硅基扇出型封装结构，属于集成电路封装领域。所述本实用新型提供的硅基扇出型封装结构包括硅基，所述硅基上刻蚀的凹槽中埋有芯片；所述硅基和所述芯片上依次形成有干膜材料和阻焊层；所述阻焊层上形成有凸点，并通过再布线层与所述芯片的焊盘连通。本实用新型的硅基扇出型封装结构中，埋入芯片厚度与封装厚度几乎一致，使得封装体厚度大大减小，散热性能大大提高。

技术领域

本实用新型涉及集成电路封装技术领域，特别涉及一种硅基扇出型封装结构。

背景技术

随着芯片变得越来越小，I/O数越来越多，芯片级封装(Fan in)已经不能满足高密度I/O布线和凸点排列的要求。近年来，随着重构晶圆技术的发展，扇出型(Fan out)晶圆级封装技术越来越受到重视，也成为对晶圆级芯片尺寸封装技术的重要补充。

扇出型封装一般是通过再构晶圆的方式将芯片I/O端口引出，在重构的包封体上形成焊球或凸点终端阵列，在一定范围内可代替传统的引线键合焊球阵列(WBBGA)封装、倒装芯片焊球阵列(FCBGA)封装封装结构或高成本的2.5D转接板异质封装。

扇出型封装按照重构晶圆的方式分类主要有两种：

一是塑封，塑封方式重构晶圆最先实现量产，专利US20080308917与专利US2015003000都是使用聚合物等塑封材料重构晶圆，然后进行晶圆级封装工艺，这种方法的主要问题是：流片过程中翘曲大、散热性能差；由于使用大量聚合物有机材料，其可靠性水平一直停留在消费等级。

二是埋入硅基重构晶圆，在近两年也受到重视，专利CN204885147U和CN206558495U介绍了硅基扇出型封装的结构和制作方法，但是随着硅基扇出研究的深入，也有越来越多的问题暴露出来，如硅基的刚性翘曲、凹槽底部刻蚀均一性、刻蚀凸点、底部刻蚀圆角等，这些问题一直制约着其量产进度。如图1所示，硅基刻蚀底部拐角处会出现圆角，并且这个圆角随着刻蚀深度和凹槽刻蚀面积的增加而增大，非常容易造成芯片埋入时边角破裂，这严重制约着尺寸较大芯片和厚度较厚芯片的埋入扇出封装。在专利CN206558495U中提出一种克服凹槽刻蚀均一性的方法，但是这种方法成本高，并且引入较大体积的聚合物，增加了晶圆翘曲，不利于流片。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种硅基扇出型封装结构，以实现超薄、高性能和高可靠性的扇出型晶圆级封装。

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种硅基扇出型封装结构，包括硅基，

所述硅基上刻蚀的凹槽中埋有芯片；

所述硅基和所述芯片上依次形成有干膜材料和阻焊层；

所述阻焊层上形成有凸点，并通过再布线层与所述芯片的焊盘连通。

可选的，所述硅基底部沉积有截止层。

可选的，所述阻焊层完全包裹除截止层外的五个面，包裹厚度不小于 0.5μm。

可选的，所述截止层的材质为无机材料的一种或几种，或金属材料的一种或几种，其厚度不小于0.1μm，

所述无机材料包括SiO2、SiC和SiN；

所述金属材料包括Al、Cu、Ni、Sn和Au。

可选的，所述再布线层为一层或多层。

可选的，所述再布线层位于所述阻焊层中。

可选的，所述干膜材料为包括树脂类和聚酰亚胺类在内的聚合物材质。

可选的，所述芯片通过粘合胶埋入在所述凹槽中。

可选的，所述凹槽的深度不小于10μm。

可选的，每个凹槽中埋有一个或多个芯片。