[实用新型]斩波前置放大器和集成电路有效

专利信息
申请号: 201921221681.9 申请日: 2019-07-29
公开(公告)号: CN210431360U 公开(公告)日: 2020-04-28
发明(设计)人: 苗书立;许建超;夏书香 申请(专利权)人: 深圳市锐能微科技有限公司
主分类号: H03F3/393 分类号: H03F3/393;H03F3/45;H03F1/32;H03F1/34
代理公司: 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 代理人: 袁哲
地址: 518000 广东省深圳市南山*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 前置放大器 集成电路
【权利要求书】:

1.一种斩波前置放大器,其特征在于,包括:

第一斩波开关,所述第一斩波开关的两个输入端分别接入两个输入信号,所述第一斩波开关用于对所述两个输入信号调制后输出;

输入缓冲电路,所述输入缓冲电路的两个输入端与所述第一斩波开关的两个输出端连接,所述输入缓冲电路采用源跟随器结构,为所述输入信号提供阻抗隔离后输出;

第二斩波开关,所述第二斩波开关的两个输入端分别连接所述输入缓冲电路的两个输出端,所述第二斩波开关用于对所述输入缓冲电路的输出信号进行调解后输出;

增益放大电路,所述增益放大电路的两个输入端与所述第二斩波开关的两个输出端连接,所述增益放大电路采用能消除失调和噪声的斩波运算放大器,用于将调解后的所述输出信号增益放大、消除失调和噪声后输出放大信号;

输出滤波电路,所述输出滤波电路的两个输入端与所述增益放大电路的输出端连接,所述输出滤波电路用于对所述放大信号滤波后输出。

2.如权利要求1所述的斩波前置放大器,其特征在于,所述输入缓冲电路包括两个输入缓冲单元,每个所述输入缓冲单元包括同向或反向串联在电源和公共电位之间的第一电流源、由第一晶体管构成的第一主源跟随器以及由至少一个第二晶体管构成的第一辅源跟随器,所述第一晶体管和所述第二晶体管的栅极共接作为所述输入缓冲电路的输入端,所述第一电流源和所述第一主源跟随器之间的共接点作为所述输入缓冲电路的输出端,所述第一辅源跟随器用于消除所述第一主源跟随器的沟道长度调制效应。

3.如权利要求2所述的斩波前置放大器,其特征在于,所述输入缓冲单元还包括用于增加输出电平移位的电平移位模块,其中:

所述电平移位模块连接在所述第一电流源和所述第一主源跟随器之间,所述电平移位模块与所述第一电流源之间的共接点作为所述输入缓冲单元的输出。

4.如权利要求3所述的斩波前置放大器,其特征在于,所述电平移位模块连接在所述第一主源跟随器和所述第一辅源跟随器之间。

5.如权利要求2所述的斩波前置放大器,其特征在于,所述第一晶体管和所述第二晶体管为PMOS管,所述第一晶体管的源极通过所述第一电流源接电源,至少一个所述第二晶体管同向串联后连接在所述第一晶体管的漏极和公共电位之间;或

所述第一晶体管和所述第二晶体管为NMOS管,所述第一晶体管的源极通过所述第一电流源接公共电位,至少一个所述第二晶体管同向串联后连接在所述第一晶体管的漏极和电源之间。

6.如权利要求2至5任一项所述的斩波前置放大器,其特征在于,所述第一晶体管和所述第二晶体管均工作在饱和区;所述第一晶体管的阈值电压大于所述第二晶体管的阈值电压。

7.如权利要求6所述的斩波前置放大器,其特征在于,所述第一晶体管的阈值电压大于所述第二晶体管的阈值电压关系为:|Vth1|-|Vth0|≥|Vod0|+margin;

其中,Vth1为所述第一晶体管的阈值电压,Vth0为所述第二晶体管的阈值电压,Vod0为所述第二晶体管的过驱动电压,margin为电压裕量。

8.如权利要求1所述的斩波前置放大器,其特征在于,所述增益放大电路包括第一斩波运算放大器、第二斩波运算放大器、第一分压元件、第二分压元件以及第三分压元件,所述第一斩波运算放大器的正相输入端作为所述增益放大电路的第一输入端,所述第一分压元件的一端与所述第一斩波运算放大器的输出端连接,所述第一分压元件的另一端与所述第一斩波运算放大器的反相输入端、所述第二分压元件的一端连接,所述第二分压元件的另一端与所述第二斩波运算放大器的反相输入端、所述第三分压元件的一端连接,所述第二斩波运算放大器的正相输入端作为所述增益放大电路的第二输入端,所述第三分压元件的另一端与所述第二斩波运算放大器的输出端连接,所述第一斩波运算放大器的输出端作为所述增益放大电路的第一输出端,所述第二斩波运算放大器的输出端作为所述增益放大电路的第二输出端。

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