[实用新型]一种晶硅电池片链式碱抛光生产线有效
申请号: | 201921216188.8 | 申请日: | 2019-07-30 |
公开(公告)号: | CN210136844U | 公开(公告)日: | 2020-03-10 |
发明(设计)人: | 吴章平;崔水炜 | 申请(专利权)人: | 苏州昊建自动化系统有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67;H01L31/18 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 郑越 |
地址: | 215000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电池 链式 抛光 生产线 | ||
本实用新型涉及太阳能电池制备技术领域,具体涉及一种晶硅电池片链式碱抛光生产线,链式碱抛光生产线包括:封闭箱,所述封闭箱内依次设有相互连通的上料系统、第一酸洗系统、第一水洗系统、第一抛光系统、第二抛光系统、第二水洗系统、第二酸洗系统、第三水洗系统、烘干系统和出料系统,所述第一酸洗系统和所述第二酸洗系统均包括储酸槽,所述储酸槽内装有氢氟酸溶液。上述生产线在酸洗过程仅使用氢氟酸溶液作为清洗液,从源头上避免了NOx的生成,且不会排放含有HNO3的废水,能够有效解决晶硅太阳能电池制备过程中的环境污染问题。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池制备技术领域,具体涉及一种晶硅电池片链式碱抛光生产线。
背景技术
高效和低成本是现今太阳电池产业的发展方向。要提升高效太阳电池的效率,需要对其正面和背面进行区别处理。影响电池少子寿命和效率的因素之一是表面复合速度,而表面复合速度和晶硅片的正、反两个表面的形貌、比面积和钝化质量有关。另一个影响电池效率的因素是电池的陷光能力,陷光能力取决于正表面的折射率和背表面的反射率。因此背表面的情况会在很大程度上影响电池效率,要提高电池效率就要对电池的背表面进行优化。对背面进行优化处理的方法一般是单面湿法化学抛光,可以将硅片背表面的织构化绒面抛去,将背表面平坦化,甚至达到镜面效果,以降低背表面的比面积。这将提升电池钝化效果,并能够利用镜面反射原理增加光的背面反射率,减小光的透射损失,同时能够改善后续沉积的金属背电场的质量。常规工艺过程中,利用硝酸将硅片背面和边缘氧化,形成氧化硅,氢氟酸与氧化硅反应生成络合物六氟硅酸,从而使正面与背面绝缘,后续利用强碱的选择性腐蚀来实现对电池背面的选择性抛光。
例如,中国专利文献CN109285772A公开了一种多晶硅太阳能晶硅电池片链式背抛光方法及其设备,该设备包括第一刻蚀装置、第二刻蚀装置、带液滚轮和抛光滚轮,且装置中使用硝酸和氢氟酸的混合溶液对硅片进行刻蚀,不仅酸的使用量较大,而且设备运行过程中会产生NOx,但现有的链式背抛光生产线中并没有对NOx进行有效处理的装置,这样就会使得NOx对生产线和环境造成极大污染。
实用新型内容
因此,本实用新型要解决的技术问题在于克服现有技术中的晶硅电池片生产中易产生NOx,污染环境的问题,从而提供一种晶硅电池片链式碱抛光生产线。
为实现上述目的,本实用新型提供一种晶硅电池片链式碱抛光生产线,包括:
封闭箱,封闭箱内依次设有相互连通的上料系统、第一酸洗系统、第一水洗系统、第一抛光系统、第二抛光系统、第二水洗系统、第二酸洗系统、第三水洗系统、烘干系统和出料系统;
第一酸洗系统和第二酸洗系统均包括储酸槽,储酸槽内装有氢氟酸溶液。
优选的是,第一酸洗系统和第二酸洗系统中部均设有酸洗浸泡槽,酸洗浸泡槽上设有酸洗输送辊,酸洗浸泡槽沿晶硅电池片输送方向的两端分别设有酸溢流槽,酸溢流槽和酸洗浸泡槽均与储酸槽连接。
优选的是,第一水洗系统、第二水洗系统和第三水洗系统中部均设有水洗浸泡槽,水洗浸泡槽上设有水洗输送辊,水洗输送辊上设有压水辊,压水辊上方沿输送方向依次设有多组喷淋装置,水洗浸泡槽与储水槽连接,储水槽内装有纯水。
优选的是,上料系统中部设有上料支架,上料支架上设有上料输送辊,上料输送辊上沿输送方向设有至少一排的上料规正轮。
优选的是,第一抛光系统和第二抛光系统中部均设有抛光浸泡槽,抛光浸泡槽上设有抛光输送辊,抛光浸泡槽沿晶硅电池片输送方向的两端分别设有抛光液溢流槽,抛光液溢流槽下方设有回液管,回液管另一端连接有储液系统,抛光液溢流槽远离抛光输送辊下侧设有出液支管,出液支管进液端设有出液盒,出液盒与储液系统连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造