[实用新型]一种用于二氧化硅薄膜性能测量的测量装置有效
| 申请号： | 201921215453.0 | 申请日： | 2019-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN210110711U | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 孔德谋 | 申请（专利权）人： | 武汉云岭光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 吴静 |
| 地址： | 430223 湖北省武汉市东湖新技术开发*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 二氧化硅 薄膜 性能 测量 装置 | ||
1.一种用于二氧化硅薄膜性能测量的测量装置，其特征在于：包括用于安置待测的第一层二氧化硅薄膜的安置结构以及用于测量待测的所述第一层二氧化硅薄膜的测量组件，所述安置结构包括基底、第一层金属电容板以及第二层金属电容板，待测的所述第一层二氧化硅薄膜设于所述第一层金属电容板和所述第二层金属电容板之间，所述第一层金属电容板设于所述基底上，所述测量组件的两个测量端分别连接在所述第一层金属电容板和所述第二层金属电容板上。
2.如权利要求1所述的一种用于二氧化硅薄膜性能测量的测量装置，其特征在于：所述基底包括衬底以及生长于所述衬底上的绝缘层，所述第一层金属电容板置于所述绝缘层上。
3.如权利要求2所述的一种用于二氧化硅薄膜性能测量的测量装置，其特征在于：所述绝缘层为第二层二氧化硅薄膜。
4.如权利要求2所述的一种用于二氧化硅薄膜性能测量的测量装置，其特征在于：所述绝缘层的厚度在100～1000nm之间。
5.如权利要求1所述的一种用于二氧化硅薄膜性能测量的测量装置，其特征在于：所述第一层金属电容板有多块且均为方形，所述基底为长条状，各所述第一层金属电容板均沿所述基底的长度方向布设，且彼此间隔布设。
6.如权利要求5所述的一种用于二氧化硅薄膜性能测量的测量装置，其特征在于：所述第二层金属电容板有多块且均为圆形，所述第一层二氧化硅薄膜也有多个，各所述第二层金属电容板与各所述第一层金属电容板一一对应，各所述第一层金属电容板与各所述第一层二氧化硅薄膜一一对应，每一所述第一层二氧化硅薄膜设于与其对应的第一层金属电容板和与其对应的所述第二层金属电容板之间。
7.如权利要求6所述的一种用于二氧化硅薄膜性能测量的测量装置，其特征在于：每一所述第一层二氧化硅薄膜具有通孔，所述测量组件的两个测量端通过所述通孔分别连接在所述第一层金属电容板和所述第二层金属电容板上。
8.如权利要求6所述的一种用于二氧化硅薄膜性能测量的测量装置，其特征在于：各所述第二层金属电容板的尺寸依次增大。
9.如权利要求1所述的一种用于二氧化硅薄膜性能测量的测量装置，其特征在于：所述第一层金属电容板和所述第二层金属电容板的厚度均在100～1000nm之间。
10.如权利要求1所述的一种用于二氧化硅薄膜性能测量的测量装置，其特征在于：所述测量组件包括CV测试仪，所述CV测试仪的两根测试探针分别连接所述第一层金属电容板和所述第二层金属电容板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
