[实用新型]一种碳化硅单晶连续生长装置

说明书

本实用新型公开了一种碳化硅单晶连续生长装置，包括依次连通的原料仓、生长仓和回收仓、用于将原料仓中的碳化硅多晶原料送入生长仓中的送料机构，送料机构还用于将生长仓中的残渣送入回收仓中，送料机构沿其送料方向依次经过原料仓、生长仓、回收仓；生长仓包括坩埚本体、可升降的套设或穿设于坩埚本体上部的且用于在其下表面安装籽晶的坩埚盖、用于驱动坩埚盖升降的驱动机构、用于为坩埚本体加热的加热机构；坩埚盖位于送料机构的上方。本实用新型一种碳化硅单晶连续生长装置，可以对坩埚本体中的碳化硅多晶原料不断进行补充，以保证碳化硅单晶的连续生长，从而获得大尺寸碳化硅单晶；同时不影响碳化硅多晶原料的输送和碳化硅单晶的生长条件。

技术领域

本实用新型涉及一种碳化硅单晶连续生长装置。

背景技术

物理气相输运法（PVT法）是碳化硅单晶生长的主要技术方法，该方法是将碳化硅多晶原料装在筒形石墨坩埚本体底部，用石墨坩埚盖将石墨坩埚本体盖上，形成一个密闭空间，石墨坩埚盖下表面安装有碳化硅籽晶，通过对石墨坩埚本体、石墨坩埚盖组成的系统进行加热，使石墨坩埚本体内的碳化硅多晶原料升华，并维持碳化硅多晶原料与碳化硅籽晶间具有合适的温度梯度，升华后的碳化硅粒子就会在碳化硅籽晶上沉积生长，从而获得碳化硅单晶。

现有的用于碳化硅单晶的生长装置，石墨坩埚内只能装入一定量的碳化硅多晶原料，用以生长成一定尺寸的碳化硅单晶。现有的生长装置会导致大尺寸碳化硅单晶的获得受到一定的限制，难以获得大尺寸碳化硅单晶，同时生产效率也较低。

针对上述情况，也有连续通入碳化硅多晶原料的装置，仅仅连续补料具有以下缺点：产生的残渣会导致坩埚内空间越来越小，使得原料无法进入；产生的残渣会导致原料越堆越高，与籽晶之间的距离越来越短，影响温度梯度和碳化硅单晶的优质生长。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种碳化硅单晶连续生长装置，可以对坩埚本体中的碳化硅多晶原料不断进行补充，以保证碳化硅单晶的连续生长，从而获得大尺寸碳化硅单晶；同时不影响碳化硅多晶原料的输送和碳化硅单晶的生长条件，能够持续获得优质的大尺寸碳化硅单晶。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：

一种碳化硅单晶连续生长装置，包括依次连通的原料仓、生长仓和回收仓、用于将所述原料仓中的碳化硅多晶原料送入所述生长仓中的送料机构，所述送料机构，还用于将所述生长仓中的残渣送入所述回收仓中，所述送料机构沿其送料方向依次经过所述原料仓、所述生长仓、所述回收仓；

所述生长仓包括坩埚本体、可升降的套设或穿设于所述坩埚本体上部的且用于在其下表面安装籽晶的坩埚盖、用于驱动所述坩埚盖升降的驱动机构、用于为所述坩埚本体加热的加热机构；所述坩埚盖位于所述送料机构的上方。

优选地，所述送料机构包括连续式螺杆输送段，所述连续式螺杆输送段，用于通过控制其输送速度将且仅将残渣送出所述生长仓。

优选地，所述送料机构包括沿送料方向依次经过所述原料仓和所述生长仓的且可连续转动的第一螺杆输送段、沿送料方向依次经过所述生长仓和所述回收仓的且可间歇性转动的第二螺杆输送段。

优选地，所述送料机构的送料方向沿水平方向延伸。

优选地，所述加热机构为感应加热线圈或电阻加热器。

优选地，所述装置还包括连通在所述原料仓和所述生长仓之间的第一连通管。

优选地，所述装置还包括连通在所述生长仓和所述回收仓之间的第二连通管。

优选地，所述装置还包括设于所述坩埚本体和所述坩埚盖之间的密封圈。