[实用新型]一种便于调频的太赫兹调制器

说明书

本实用新型公开了一种便于调频的太赫兹调制器，包括安装外壳，所述安装外壳的内壁一侧通过螺丝连接有安装板，且安装板的外壁一侧通过螺丝连接有太赫兹波发生器，所述安装外壳的内壁中部通过螺丝连接有隔离板，且隔离板与太赫兹波发生器胶结连接，所述安装外壳的内壁一侧粘接有隔离层，所述太赫兹波发生器的一端通过螺纹连接有太赫兹波发射器。本实用新型中，通过设置有太赫兹波发生器，太赫兹波发射器、第一半导体激光器、第二半导体激光器、光纤调制器，太赫兹波发生器产生太赫兹波，通过太赫兹波发射器进行发射，通过调节旋钮调节光纤调制器对第一半导体激光器和第二半导体激光器的激光进行调制，可快速的对太赫兹波进行调制。

技术领域

本实用新型涉及太赫兹波技术领域，尤其涉及一种便于调频的太赫兹调制器。

背景技术

太赫兹波是频率在0.1THz-10THz之间的电磁波；太赫兹辐射作为一种电磁波，与可见光、X射线、红外、超声波等一样可以作为物体成像的信号源。其原理是利用成像系统将所记录下来的样品的透射谱或反射谱信息(包括振幅相位的二维信息)进行分析和处理，最后得到样品的太赫兹图像。太赫兹成像技术已经成为太赫兹科学技术应用的热点和重点，在探测成像、人体安检、物质识别、医疗诊断等领域具有巨大的应用潜力。

然而，现有的太赫兹波调制器大多针对固有频率进行幅度调制或者相位调制，为数不多的频率可调太赫兹波调制器采用对半导体载流子浓度的控制来实现频率调谐，但由于材料限制，导致太赫兹波调制深度不佳。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种便于调频的太赫兹调制器。

为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：

一种便于调频的太赫兹调制器，包括安装外壳，所述安装外壳的内壁一侧通过螺丝连接有安装板，且安装板的外壁一侧通过螺丝连接有太赫兹波发生器，所述安装外壳的内壁中部通过螺丝连接有隔离板，且隔离板与太赫兹波发生器胶结连接，所述安装外壳的内壁一侧粘接有隔离层，所述太赫兹波发生器的一端通过螺纹连接有太赫兹波发射器，所述安装外壳的外壁通过螺栓连接有风扇支撑架，且风扇支撑架的外壁一侧通过螺栓连接有伺服电机，所述伺服电机的输出轴的一侧通过螺栓连接有散热扇，且安装外壳的外壁一侧通过螺丝连接有防护网，所述安装外壳的底部一侧通过螺栓连接有手握把，且手握把的外壁一侧粘接有防滑垫，所述安装外壳的内壁一侧粘接有高阻硅层，且高阻硅层的外壁两侧安装有二氧化钒薄膜。

优选的，所述手握把的底部开设有第一通孔，且第一通孔内部插接有橡胶皮套，所述橡胶皮套的内壁插接有电源插头，且电源插头与控制器通过输电线电性连接。

优选的，所述二氧化钒薄膜的外壁一侧开设有硅纳米针尖阵列，且硅纳米针尖阵列为上细下粗的垂直针状结构阵列，每一根纳米针的直径≤110nm、高度为2μm～23μm。

优选的，所述安装外壳的内壁一侧通过螺丝连接有太赫兹波探测器，且太赫兹波探测器与控制器通过导线电性连接。

优选的，所述安装外壳的内壁顶部一侧通过螺栓连接有第二半导体激光器，且第二半导体激光器位于太赫兹波发射器的正上方。

优选的，所述安装外壳的顶部一侧通过螺丝连接有第一半导体激光器，且第一半导体激光器与第二半导体激光器的一端均通过光纤连接有光纤调制器。

优选的，所述安装外壳的顶部通过轴承连接有调节旋钮，且调节旋钮与光纤调制器通过导线电性连接，调节旋钮与控制器通过导线电性连接。

优选的，所述控制器与太赫兹波发生器、伺服电机、第一半导体激光器、第二半导体激光器的外部开关通过导线电性连接。

优选的，所述安装外壳与安装板的外壁均开设有等距离阵列分布的散热孔，且安装外壳上开设的散热孔底部通过螺丝连接有过滤网。

本实用新型的有益效果为：