[实用新型]一种含有多层DBR结构的太阳能电池有效
申请号: | 201921182058.7 | 申请日: | 2019-07-25 |
公开(公告)号: | CN210272400U | 公开(公告)日: | 2020-04-07 |
发明(设计)人: | 刘恒昌;刘建庆;文宏;高熙隆;刘雪珍;黄珊珊;黄辉廉 | 申请(专利权)人: | 中山德华芯片技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/054 | 分类号: | H01L31/054;H01L31/0216;H01L31/041;H01L31/0304;H01L31/0693;H01L31/0687 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 冯炳辉 |
地址: | 528437 广东省中山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 含有 多层 dbr 结构 太阳能电池 | ||
1.一种含有多层DBR结构的太阳能电池,包括衬底及按层状结构依次叠加在该衬底上的多个子电池,其特征在于:在多个子电池之下各增加有一层DBR结构;其中,所述DBR结构反射的光能范围应处于相应子电池能够利用的光能范围内,从而达到在不增加子电池厚度的情况下,提升子电池光吸收效率或在保证光吸收效率不降低的前提下,减薄子电池厚度,所述DBR结构要求其材料带隙高于位于光路下游的子电池的带隙,以保证DBR结构对于光路下游的子电池能够利用的光能是透明的;所述DBR结构要求与相应子电池晶格匹配,且相邻子电池之间的晶格常数差距不超过1%。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的