[实用新型]一种舟托结构有效
| 申请号： | 201921179581.4 | 申请日： | 2019-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN210778521U | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 林佳继;高忠祥;刘群;林依婷 | 申请（专利权）人： | 深圳市拉普拉斯能源技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人： | 董世博 |
| 地址： | 518118 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种舟托结构，其特征在于：包括第一立板、第二立板、侧板和把手，第一立板、第二立板和侧板围成舟托；第一立板或/和第二立板上设置贯穿孔；第一立板、第二立板上都设置把手。
2.根据权利要求1所述的一种舟托结构，其特征在于：第一立板上的贯穿孔形状与第一立板的本身形状相匹配。
3.根据权利要求1所述的一种舟托结构，其特征在于：第二立板上分布贯穿孔，贯穿孔形状与第二立板的本身形状相匹配。
4.根据权利要求1所述的一种舟托结构，其特征在于：连接第一立板、第二立板的侧板包括上侧板和下侧板，上侧板和下侧板平行放置，上侧板的上边缘处设置定位槽。
5.根据权利要求2所述的一种舟托结构，其特征在于：第一立板的上边处设置把手。
6.根据权利要求3所述的一种舟托结构，其特征在于：第二立板在中间区设置把手。
7.根据权利要求1所述的一种舟托结构，其特征在于：第一立板的底部、第二立板的底部都设置安置槽。
8.根据权利要求4所述的一种舟托结构，其特征在于：定位槽分布于上侧板上边缘；定位槽内设置增加摩擦力的部件。
9.根据权利要求7所述的一种舟托结构，其特征在于：安置槽整体呈长方体，安置槽的两端设置斜切面。
10.根据权利要求1所述的一种舟托结构，其特征在于：舟托采用非导电、耐高温、抗压材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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