[实用新型]一种超高三阶交调抑制系统有效
申请号: | 201921175304.6 | 申请日: | 2019-07-24 |
公开(公告)号: | CN210007682U | 公开(公告)日: | 2020-01-31 |
发明(设计)人: | 杨迪 | 申请(专利权)人: | 成都安普利电子有限责任公司 |
主分类号: | H03K5/08 | 分类号: | H03K5/08 |
代理公司: | 51229 成都正华专利代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 李蕊;李林合 |
地址: | 610000 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 滤波放大电路 本实用新型 放大电路 滤波电路 三阶交调 限幅电路 分电路 滤波器 非线性器件 输出电路 抑制系统 杂散信号 高矩形 合路 滤除 | ||
1.一种超高三阶交调抑制系统,其特征在于,包括预选滤波电路(1)、与所述预选滤波电路(1)连接的限幅电路(2)、与所述限幅电路(2)连接的放大电路(3)、与所述放大电路(3)连接的四路功分电路(4)、分别与所述四路功分电路(4)连接的第一滤波放大电路(5)和第二滤波放大电路(6),以及分别与所述第一滤波放大电路(5)和第二滤波放大电路(6)的合路输出电路(7)。
2.根据权利要求1所述的超高三阶交调抑制系统,其特征在于,所述预选滤波电路(1)包括滤波芯片U1,所述芯片U1的输入端与外部隔直电容C1的一端连接,隔直电容C1的另一端与外部输入接口J1连接,所述芯片U1的输出端与所述限幅电路(2)连接。
3.根据权利要求2所述的超高三阶交调抑制系统,其特征在于,所述限幅电路(2)包括型号为RLM-33-2W+的限幅芯片U2,所述芯片U2的第1引脚与电容C2的一端连接,电容C2的另一端与所述芯片U1的输出端连接,所述芯片U2的第2引脚与所述芯片U2的第3引脚连接,并接地,所述芯片U2的第5引脚与所述芯片U2的第6引脚连接,并接地,所述芯片U2的第4引脚与电容C3的一端连接,电容C3的另一端与所述放大电路(3)连接。
4.根据权利要求3所述的超高三阶交调抑制系统,其特征在于,所述放大电路(3)包括型号为WHM0020AE的低噪放大芯片U3,所述芯片U3的第1引脚与电容C3的另一端连接,所述芯片U3的第2引脚与电容C4的一端连接,电容C4的另一端与所述四路功分电路(4)连接,所述芯片U3的第3引脚分别与接地电容C5、接地电容C6、接地电容C7以及电阻R1的一端连接,电阻R1的另一端分别与电源以及外部绝缘子焊盘K1连接。
5.根据权利要求4所述的超高三阶交调抑制系统,其特征在于,所述四路功分电路(4)包括型号为GP2S1+的功分芯片U4、型号为GP2S1+的功分芯片U5以及型号为GP2S1+的功分芯片U6,其中:
所述芯片U4的第2引脚与电容C4的另一端连接,所述芯片U4的第1引脚接地,所述芯片U4的第3引脚接地,所述芯片U4的第4引脚分别与所述芯片U4的第5引脚以及第6引脚连接,并接地,所述芯片U4的第7引脚与所述芯片U5的第2引脚连接,所述芯片U4的第8引脚接地,所述芯片U4的第9引脚与所述芯片U6的第2引脚连接,所述芯片U4的第10引脚分别与所述芯片U4的第11引脚以及第12引脚连接,并接地;
所述芯片U5的第1引脚接地,所述芯片U5的第3引脚接地,所述芯片U5的第4引脚分别与所述芯片U5的第5引脚以及第6引脚连接,并接地,所述芯片U5的第8引脚接地,所述芯片U5的第10引脚分别与所述芯片U5的第11引脚以及第12引脚连接,并接地,所述芯片U5的第7引脚以及第9引脚分别与所述第一滤波放大电路(5)连接;
所述芯片U6的第1引脚接地,所述芯片U6的第3引脚接地,所述芯片U6的第4引脚分别与所述芯片U6的第5引脚以及第6引脚连接,并接地,所述芯片U6的第8引脚接地,所述芯片U6的第10引脚分别与所述芯片U6的第11引脚以及第12引脚连接,并接地,所述芯片U6的第7引脚以及第9引脚分别与所述第二滤波放大电路(6)连接。
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