[实用新型]一种共阴极半导体发光管驱动电路

说明书

本实用新型的目的是提供一种共阴极半导体发光管驱动电路，包括多路晶体管驱动单元、多路充放电回路、共用电容C、共用二极管D、共阴极发光管、上管晶体管、下管晶体管，有益效果在于本驱动电路用于共阴极发光管，外围器件少，电路简单，性能稳定，多路共阴极发光管相互不影响，有效的解决驱动模块体积大、成本高、结构复杂等问题，有利于多线激光器的小型化设计。

技术领域

本实用新型涉及半导体激光器技术领域，特别涉及一种共阴极半导体发光管驱动电路。

背景技术

近年来，脉冲半导体激光器已在激光雷达、激光测距等众多领域中得到广泛的应用，在短脉冲工作模式下的半导体激光器，一般采用储能元件的放电过程来驱动激光二极管发光，其缺陷是产生的脉冲峰值驱动电流大，上升沿快，占空比小，平均功率低。目前普遍的半导体激光器是独立进行发光，不便于激光器的小型化和低成本，共阴极激光管的出现给激光雷达的小型化带来了希望，传统的共阴极激光器驱动电路使用的开关管为PMOS管或者NMOS管，使用PMOS管时存在选型少，驱动电路较为复杂的问题，使用NMOS管时驱动电路通常为高压自举驱动，且驱动电路的器件会对激光管放电回路造成不良影响。

因此，当前亟待设计一种新型的共阴极半导体发光管驱动电路来解决上述问题。

实用新型内容

针对上述问题，本实用新型实施例提供了一种共阴极半导体发光管驱动电路。

本实用新型的目的是提供一种共阴极半导体发光管驱动电路，包括多路晶体管驱动单元、多路充放电回路、储能单元、二极管单元、晶体管单元、共阴极半导体发光管单元、反向抑制单元；

所述的多路晶体管驱动单元，用于控制多路充放电回路中多个晶体管的导通和关闭的时序。

进一步的，所述的储能单元包括电容C；

所述的晶体管单元包含所述的上晶体管；

所述的共阴极半导体发光管单元由共阴极的半导体发光管构成；

所述的反向抑制单元包含所述的下晶体管；

进一步地，所述的下晶体管可以为二极管、MOSFET、三极管中的一个或多个，与上晶体管、共阴极发光管、电容C来构成放电回路，使每路放电回路独立运行，避免互相干扰。

本实用新型的有益效果在于本驱动电路用于共阴极发光管，外围器件少，电路简单，性能稳定，多路共阴极发光管相互不影响，有效的解决驱动模块体积大、成本高、结构复杂等问题，有利于多线激光器的小型化设计。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例1提供的共阴极发光管驱动电路示意图。

图2为本实用新型实施例2提供的共阴极发光管驱动电路示意图。

其中，HV为可变高压，C为储能电容，D为二极管，DL1、DL2、DL3...、DLn为共阴极发光管，Q1、Q2、Q3…、Qn、Qn+1为晶体管，多路晶体管驱动单元分别为晶体管驱动单元1、晶体管驱动单元2、晶体管驱动单元3…、晶体管驱动单元n。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。