[实用新型]温控校正电路

权利要求书

1.一种温控校正电路，其特征在于：包括负温比电流源模块、负温比电压生成模块、零温比参考模块和模数转换模块，

所述负温比电流源模块的输入端与电源正极连接，所述负温比电流源模块的输出端通过负温比电压生成模块与地连接，所述负温比电流源模块输出端与模数转换模块的一个输入端连接，所述零温比参考模块的输入端与电源正极连接，所述零温比参考模块的输出端与模数转换模块的另一个输入端连接。

2.如权利要求1所述的温控校正电路，其特征在于：所述负温比电流源模块包括第一P沟道场效应管、第二P沟道场效应管、第三P沟道场效应管、第一N沟道场效应管、第二N沟道场效应管、第一电阻和第一PNP三极管，

所述第一P沟道场效应管的漏极与电源正极连接，所述第一P沟道场效应管的栅极与所述第一P沟道场效应管的源极连接，所述第一P沟道场效应管的源极与所述第一N沟道场效应管的漏极连接，所述第一N沟道场效应管的源极与第一电阻的一端连接，第一电阻的另一端与地连接；

所述第二P沟道场效应管的漏极与电源正极连接，所述第二P沟道场效应管的栅极与第一P沟道场效应管的栅极连接，所述第二P沟道场效应管的源极与第二N沟道场效应管的漏极连接，所述第二N沟道场效应管的漏极与所述第二N沟道场效应管的栅极连接，所述第一N沟道场效应管的栅极与所述第二N沟道场效应管的栅极连接，所述第二N沟道场效应管的源极与第一PNP三极管的发射极连接，所述第一PNP三极管的集电极与地连接，所述第一PNP三极管的基极与第一三极管的集电极连接；

所述第三P沟道场效应管的漏极与电源正极连接，所述第三P沟道场效应管的栅极与第二P沟道场效应管的栅极连接，所述第三P沟道场效应管的源极与负温比电流源模块的输出端连接。

3.如权利要求1所述的温控校正电路，其特征在于：所述零温比参考模块包括第四P沟道场效应管、第五P沟道场效应管、第六P沟道场效应管、第三N沟道场效应管、第四N沟道场效应管、第二PNP三极管、第三PNP三极管、第四PNP三极管、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻和第一比较器，

所述第四P沟道场效应管的漏极与电源正极连接，所述第四P沟道场效应管的栅极与所述第四P沟道场效应管的源极连接，所述第四P沟道场效应管的源极与所述第三N沟道场效应管的漏极连接，所述第三N沟道场效应管的源极与所述第二电阻的一端连接，所述第二电阻的另一端与所述第二PNP三极管的发射极连接，所述第二PNP三极管的集电极与地连接，所述第二PNP三极管的基极与所述第二PNP三极管的集电极连接；

所述第五P沟道场效应管的漏极与电源正极连接，所述第五P沟道场效应管的栅极与所述第四P沟道场效应管的栅极连接，所述第五P沟道场效应管的源极与所述第四N沟道场效应管的漏极连接，所述第四N沟道场效应管的漏极与所述第四N沟道场效应管的栅极连接，第四N沟道场效应管的栅极与所述第三N沟道场效应管的栅极连接，所述第四N沟道场效应管的源极与所述第三PNP三极管的发射极连接，所述第三PNP三极管的集电极与地连接，所述第三PNP三极管的基极与所述第三PNP三极管的集电极连接；

所述第六P沟道场效应管的漏极与电源正极连接，所述第六P沟道场效应管的栅极与所述第四P沟道场效应管的栅极连接，所述第六P沟道场效应管的源极与所述第三电阻的一端连接，所述第三电阻的另一端与所述第三PNP三极管的发射极连接，所述第三PNP三极管的集电极与地连接，所述第三PNP三极管的基极与所述第三PNP三极管的集电极连接；

所述第六P沟道场效应管的源极与所述第一比较器的同相输入端连接，所述第一比较器的反相输入端与所述第一比较器的输出端连接，所述第一比较器的输出端与第一参考输出端连接，所述第一比较器的输出端与第四电阻的一端连接，所述第四电阻的另一端与第五电阻的一端连接，所述第五电阻的另一端与所述第六电阻的一端连接，所述第六电阻的另一端与地连接，所述第四电阻的另一端与第二参考输出端连接，所述第五电阻的另一端与第三参考输出端连接。

4.如权利要求1所述的温控校正电路，其特征在于：所述负温比电压生成模块包括负温比电压生成电阻。

5.如权利要求1所述的温控校正电路，其特征在于：所述模数转换模块包括第二比较器、第三比较器和第四比较器，

所述第二比较器、第三比较器和第四比较器的反相输入端分别与所述负温比电流源模块的输出端连接；

所述第二比较器的正相输入端与所述零温比参考模块的第一参考输出端连接，所述第二比较器的输出端与第一模数转换模块输出端连接；

所述第三比较器的正相输入端与所述零温比参考模块的第二参考输出端连接与第二模数转换模块输出端连接；

所述第四比较器的正相输入端与所述零温比参考模块的第三参考输出端连接与第三模数转换模块输出端连接。