[实用新型]一种冷壁法CVD沉积设备

权利要求书

1.一种冷壁法CVD沉积设备，包括：设备框架(17)，安装于设备框架(17)上的设备主体(18)，其特征在于，设备主体(18)呈中空圆筒状，设备主体(18)的内部设有保温腔(8)，保温腔(8)的内腔设有加热沉积机构；

所述加热沉积机构包括碳硅棒(6)、陶瓷管(7)、基材管(9)、第一法兰(11)、第二法兰(5)；陶瓷管(7)贯穿设备主体(18)横向的两端且通过卡扣紧固；陶瓷管(7)呈中空圆柱状且其一端外壁通过第一法兰(11)紧固，另一端外壁通过第二法兰(5)紧固；第一法兰(11)朝向外侧的内壁设有卡槽且卡合有第一电极(13)，第二法兰(5)朝向外侧的内壁设有卡槽且卡合有第二电极(3)；

所述第一法兰(11)和第二法兰(5)的内腔均对称设有L形的支架(12)，支架(12)与碳硅棒(6)的外壁之间设有陶瓷垫片(14)；

所述第一电极(13)与第二电极(3)的纵截面均呈T字形；第一电极(13)与第二电极(3)朝向内侧的壁部均设有铜垫片(4)，碳硅棒(6)设于两个铜垫片(4)之间。

2.根据权利要求1所述的冷壁法CVD沉积设备，其特征在于，所述碳硅棒(6)包括设于中心部位的碳硅棒冷端(6-1)和设于碳硅棒冷端(6-1)外围的碳硅棒发热端(6-2)；碳硅棒冷端(6-1)的长度大于碳硅棒发热端(6-2)的长度；碳硅棒发热端(6-2)的外围设有基材管(9)。

3.根据权利要求1所述的冷壁法CVD沉积设备，其特征在于，所述第一法兰(11)的外壁底部设有进气口(10)，第二法兰(5)的外壁顶部设有抽气口(2)。

4.根据权利要求1所述的冷壁法CVD沉积设备，其特征在于，所述设备框架(17)上设有电源(15)、机械泵(1)。