[实用新型]可抑制非线性电容的功率半导体器件有效
| 申请号： | 201921156710.8 | 申请日： | 2019-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN210073858U | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;周锦程 | 申请（专利权）人： | 无锡新洁能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/41;H01L29/78 |
| 代理公司： | 32104 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 第一导电类型 半导体基板 屏蔽栅 外延层 衬底 非线性电容 栅极电位 场氧层 主面 功率半导体结构 功率半导体器件 本实用新型 漏源电压 米勒电容 源极电位 栅极连接 上表面 下表面 生长 | ||
1.一种可抑制非线性电容的功率半导体器件，其特征在于，所述可抑制非线性电容的功率半导体器件包括：
半导体基板，所述半导体基板包括第一导电类型衬底和生长在第一导电类型衬底上的第一导电类型外延层，所述第一导电类型外延层的上表面为所述半导体基板的第一主面，所述第一导电类型衬底的下表面为所述半导体基板的第二主面；
所述第一导电类型外延层中开设有至少一个沟槽（4），所述沟槽（4）内设有场氧层（5）和被所述场氧层（5）包裹的屏蔽栅（6），位于所述屏蔽栅（6）上部两侧的沟槽（4）中还分别设有栅极（7）；所述栅极（7）连接栅极电位，所述沟槽（4）中的屏蔽栅（6）连接栅极电位或源极电位；
所述沟槽（4）两侧的第一导电类型外延层的上表面设有第二导电类型体区，所述第二导电类型体区上表面设有第一导电类型源区，所述半导体基板第一主面上设有绝缘介质层（11），所述绝缘介质层（11）上开设有与第二导电类型体区对应的接触孔（8），接触孔（8）向下穿过对应的第一导电类型源区并延伸至对应的第二导电类型体区中，且所述接触孔（8）中填充有金属，绝缘介质层（11）上设有源极金属层（12）；接触孔（8）中填充的金属一端与源极金属层（12）接触，另一端依次与第一导电类型源区和第二导电类型体区接触。
2.如权利要求1所述的可抑制非线性电容的功率半导体器件，其特征在于，所述第二主面上设有漏极金属层（1）。
3.如权利要求1所述的可抑制非线性电容的功率半导体器件，其特征在于，所述沟槽（4）从半导体基板的第一主面上向第二主面方向延伸。
4.如权利要求1所述的可抑制非线性电容的功率半导体器件，其特征在于，所述第一导电类型外延层中开设有多个所述沟槽（4），多个所述沟槽（4）并排且间隔地设置在所述第一导电类型外延层中；
至少一个沟槽（4）中的屏蔽栅（6）连接栅极电位，其他沟槽（4）中的屏蔽栅（6）连接源极电位。
5.如权利要求4所述的可抑制非线性电容的功率半导体器件，其特征在于，相邻沟槽（4）相邻侧的第二导电类型体区连为一体，相邻沟槽（4）相邻侧的第一导电类型源区连为一体。
6.如权利要求1~5中任一项所述的可抑制非线性电容的功率半导体器件，其特征在于，对于N型功率半导体器件，所述第一导电类型为N型导电，所述第二导电类型为P型导电；对于P型功率半导体器件，所述第一导电类型为P型导电，所述第二导电类型为N型导电。
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