[实用新型]一种过温保护电路及系统

权利要求书

1.一种过温保护电路，其特征在于，包括：

电压产生模块，其配置为设置至少一级过温保护触发点电压，其具有至少一个第一输出端，并通过所述第一输出端输出所述触发点电压；

运算模块，其配置为根据接收的所述至少一级触发点电压和反馈电压得到参考电压，其具有第一输入端、第二输入端和第二输出端，所述第一输入端与所述电压产生模块的第一输出端电连接，并通过所述第一输入端输入所述至少一级触发点电压，通过所述第二输入端输入所述反馈电压，通过所述第二输出端输出所述参考电压，其中，所述反馈电压基于检测到的过温保护电路的温度得到的；

逻辑信号产生模块，其配置为根据接收的所述参考电压产生逻辑信号以控制其他器件工作，其具有第三输入端和第三输出端，所述第三输入端与所述第二输出端电连接，并通过所述第三输入端输入所述参考电压，通过所述第三输出端输出所述逻辑信号。

2.根据权利要求1所述的过温保护电路，其特征在于，所述电压产生模块包括至少一组电压产生单元，每组所述电压产生单元包括：第一电流源和电阻，所述电阻的一端与所述第一电流源电连接第一连接点，所述第一连接点为所述第一输出端，所述电阻的另一端接地；

其中，每组所述电压产生单元配置为设置一级过温保护触发点电压。

3.根据权利要求2所述的过温保护电路，其特征在于，

若所述电压产生单元的数量为至少两组，则所述至少两组电压产生单元中选择的电阻的阻值不同。

4.根据权利要求3所述的过温保护电路，其特征在于，所述电阻为可调电阻，所述至少两组电压产生单元中选择的可调电阻的阻值调节范围不同。

5.根据权利要求1所述的过温保护电路，其特征在于，所述过温保护电路包括：

电压反馈模块，其配置为检测所述过温保护电路的温度，并根据所述温度得到所述反馈电压，其具有输出所述反馈电压的第四输出端，所述第四输出端与所述第二输入端电连接。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的过温保护电路，其特征在于，所述运算模块包括：

至少一个运算放大器，配置为根据所述触发点电压和所述反馈电压得到运算电压，其具有所述第一输入端、所述第二输入端和第五输出端，并通过所述第五输出端输出所述运算电压；

加法器，配置为根据接收的至少一个所述运算电压得到所述参考电压，其具有至少一个第四输入端和所述第二输出端，所述第四输入端与所述第五输出端电连接，并通过所述第四输入端输入所述运算电压。

7.根据权利要求6所述的过温保护电路，其特征在于，所述过温保护电路包括：

至少一个电流速率调节模块，其配置为调节所述运算电压的系数，其具有控制端，所述控制端与所述运算放大器的被控制端电连接，并通过所述控制端控制所述运算放大器产生的运算电压的系数。

8.根据权利要求1所述的过温保护电路，其特征在于，所述逻辑信号产生模块包括：第二电流源、第一电容、MOS晶体管和比较器；

所述第二电流源的流出端、所述第一电容的一端、所述MOS晶体管的漏极和所述比较器的正输入端电连接第二连接点，所述第一电容的另一端接地，所述MOS晶体管的栅极悬置以接外部驱动信号，所述MOS晶体管的源极接地，所述比较器的负输入端为所述第三输入端，所述比较器的输出端为所述第三输出端。

9.根据权利要求6所述的过温保护电路，其特征在于，所述至少一个运算放大器和所述加法器集成于第一芯片。

10.根据权利要求8所述的过温保护电路，其特征在于，所述第二电流源、所述第一电容、所述MOS晶体管和所述比较器集成于第二芯片。

11.一种过温保护系统，其特征在于，包括上述权利要求1～10中任一项所述的过温保护电路。