[实用新型]一种直流电源接口保护电路

说明书

本实用新型公开了一种直流电源接口保护电路，包括电源接口、与所述电源接口连接的插头，所述电源接口包括供电接口端、回路接口端，所述供电接口端与所述回路接口端之间连接有N型半导体单元，所述供电接口端与所述回路接口端之间并联有极性电容C1，所述N型半导体单元根据所述供电接口端与所述回路接口端的极性控制电路的导通或阻断。本申请的直流电源接口保护电路，结构简单，生产和使用成本低。

技术领域

本申请涉及保护电路技术领域，具体是一种直流电源接口保护电路。

背景技术

在直流电源供电技术中，由于直流电源电路的设计，当电源插座误插其他电压或接电设备的插头插反时，会导致电路中电压过大，造成电源插座以及接电设备损坏。因此，需要设计直流电源供电电路中设计电源保护电路，避免上述问题出现。

现有技术中的直流电源保护电路中，采用在电源电路中采用IC器件对供电电路进行保护，虽然起到了保护作用，但是也增加了电源电路的复杂程度，增加了生产和使用成本。

公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本申请的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。

实用新型内容

本申请的目的在于解决上述问题，提供了一种直流电源接口保护电路，通过在传统的直流电源电路上增加N型半导体单元，供电接口端和回路接口端接入的电压极性决定N型半导体单元的导通或阻断，进而控制直流电源电路的导通或阻断，结构简单，生产和使用成本低。

为实现上述目的，本申请提供了一种直流电源接口保护电路，包括电源接口、与所述电源接口连接的插头，所述电源接口包括供电接口端、回路接口端，所述供电接口端与所述回路接口端之间连接有N型半导体单元，所述供电接口端与所述回路接口端之间并联有极性电容C1，所述N型半导体单元根据所述供电接口端与所述回路接口端的极性控制电路的导通或阻断；所述N型半导体单元为N沟道增强型MOS管NMOS，所述N沟道增强型 MOS管NMOS的漏极并联后与所述回路接口端电性连接，所述N沟道增强型MOS管NMOS的栅极与所述供电接口端电性连接，所述N沟道增强型MOS管NMOS的源极并联后接地，所述极性电容C1的正极与所述N沟道增强型MOS管NMOS的栅极连接。

基于上述结构，通过在传统的直流电源电路的供电接口端与回路接口端之间设置N 型半导体单元，根据供电接口端和回路接口端接入的电压极性决定N型半导体单元的导通或阻断，进而控制直流电源电路的导通或阻断，结构简单，不需要采用额外的IC器件就能实现对直流电源电路的保护，降低了生产和使用成本。

优选地，所述N沟道增强型MOS管NMOS的栅极与源极间连接有电阻R1。

优选地，所述电阻R1串接有稳压管D1。

优选地，所述稳压管D1为双向稳压管。

优选地，所述电阻R1串接有熔断丝F1。

优选地，所述供电接口端与所述回路接口端之间连接有熔断丝F1。

优选地，所述极性电容C1并联设置有稳压管D1。

优选地，所述电阻R1为10KΩ。

优选地，所述N沟道增强型MOS管NMOS、所述电阻R1、所述稳压管D1、所述熔断丝F1均为表贴器件，且分别固设于电路板的表面。

进一步地，N型半导体单元采用N沟道增强型MOS管NMOS，使电路能够在-40℃～85℃的条件下工作，提高了电路的耐高温性能；

进一步地，N沟道增强型MOS管NMOS、电阻R1、稳压管D1、熔断丝F1均采用表贴器件，实现直流电源接口保护电路具有结构紧凑、体积小、耐振动的性能。

附图说明