[实用新型]单晶硅局域SOI衬底及光电器件

权利要求书

1.一种单晶硅局域SOI衬底，其特征在于，包括：

硅衬底，所述硅衬底上具有局域SOI区域槽；

介质层，填充于所述局域SOI区域槽中并充满所述局域SOI区域槽，所述介质层的顶面与所述硅衬底的顶面齐平；

单晶硅层，覆盖于所述硅衬底及所述介质层表面。

2.根据权利要求1所述的单晶硅局域SOI衬底，其特征在于：所述局域SOI区域槽的深度介于1微米～10微米之间。

3.根据权利要求1所述的单晶硅局域SOI衬底，其特征在于：所述介质层的材料包括二氧化硅、氮氧化硅及氮化硅中的一种。

4.根据权利要求1所述的单晶硅局域SOI衬底，其特征在于：所述单晶硅层的厚度介于50纳米～5000纳米之间。

5.一种基于单晶硅局域SOI衬底的光电器件，其特征在于，包括：

如权利要求1～4任意一项所述的单晶硅局域SOI衬底；

电学器件，制备于所述硅衬底及其上方的单晶硅层上；

光学器件，制备于所述介质层上的单晶硅层上。

6.根据权利要求5所述的基于单晶硅局域SOI衬底的光电器件，其特征在于：所述电学器件包括半导体晶体管、二极管、电阻及电容中的一种或多种，所述光学器件包括光波导、有源器件及无源器件中的一种或多种。