[实用新型]真空反应腔室和真空镀膜设备有效

专利信息
申请号: 201921119514.3 申请日: 2019-07-16
公开(公告)号: CN211112211U 公开(公告)日: 2020-07-28
发明(设计)人: 杨娜 申请(专利权)人: 君泰创新(北京)科技有限公司
主分类号: C23C16/50 分类号: C23C16/50
代理公司: 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 代理人: 姜波
地址: 100176 北京市大兴区亦*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 真空 反应 真空镀膜 设备
【说明书】:

实用新型提供一种真空反应腔室和真空镀膜设备,涉及真空设备领域。该真空反应腔室,包括:用于提供真空环境的外腔体,以及位于所述外腔体内的用于进行工艺反应的内反应腔;所述内反应腔的侧壁上设有自动门,所述自动门连接自动门控制器,工件自所述外腔体经所述自动门进入所述内反应腔中。利用该真空反应腔室能够解决现有真空设备中由于只设置一个反应腔室造成的工艺环境易被污染、工艺原料易被浪费、环境温度可控性低等问题,达到降低污染,提高工艺质量的目的。

技术领域

本实用新型涉及真空设备领域,尤其涉及一种真空反应腔室和真空镀膜设备。

背景技术

目前,真空设备,例如,PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,等离子体增强化学气相沉积)和PVD(Physical Vapor Deposition,物理气相沉积)设备已被广泛应用于各种产品的生产过程中,如光伏电池、半导体器件等等。

真空设备中(如PECVD设备、PVD设备)的核心反应室通常为单个反应腔室,传动部件和升降部件等机械模块部件以及溅射靶材等工艺模块部件均设置于该单个反应腔室内,这就造成反应腔室内的工艺环境不够封闭,容易造成工艺环境污染。另外,设置单个反应腔室时,由于工艺反应区域较大,容易造成工艺所需原料的浪费,同时,还会造成工艺反应过程中温度波动大,不可控因素较多,从而影响工艺过程。

实用新型内容

本实用新型的第一目的在于提供一种真空反应腔室,以解决现有真空设备中由于只设置一个反应腔室造成的工艺环境易被污染、工艺原料易被浪费、环境温度可控性低等问题。

本实用新型的第二目的在于提供一种包含本实用新型真空反应腔室的真空镀膜设备。

为达到上述目的,本实用新型采用的技术方案如下:

一种真空反应腔室,包括:用于提供真空环境的外腔体,以及位于所述外腔体内的用于进行工艺反应的内反应腔;

所述内反应腔的侧壁上设有自动门,所述自动门连接自动门控制器,工件自所述外腔体经所述自动门进入所述内反应腔中。

进一步地,所述外腔体包括第一底板和沿所述第一底板周向设置的第一侧壁;

所述内反应腔包括第二底板和沿所述第二底板周向设置的第二侧壁;

所述第一底板与所述第二底板相互分离设置,所述第一侧壁与所述第二侧壁相互分离设置;

所述第一侧壁与盖设于所述第一侧壁上的密封盖板密闭连接,所述第二侧壁与所述密封盖板相互分离设置。

进一步地,所述自动门设置于所述第二侧壁上,所述外腔体内设有传送装置,所述工件自所述传送装置经所述自动门传递至所述内反应腔中。

进一步地,所述第二底板和/或所述第二侧壁上设有用于对所述内反应腔进行控温的温控装置。

进一步地,所述温控装置包括温控管,所述温控管连接位于外腔体外的恒温控制器。

进一步地,所述温控管包括加热管和/或冷却管。

进一步地,所述加热管包括电加热管、水加热管或油加热管;

所述冷却管包括水冷却管或油冷却管。

进一步地,所述温控管缠绕于所述第二侧壁的外部,且所述温控管铺设于所述第二底板的底部。

进一步地,所述第二底板内和所述第二侧壁内均设有用于穿设温控管的通道,所述温控管埋设于所述通道内。

一种真空镀膜设备,包括机械模块部件、工艺模块部件和本实用新型所述的真空反应腔室,所述工艺模块部件位于所述内反应腔内,部分所述机械模块部件位于所述外腔体内。

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