[实用新型]一种用于双管IGBT的门极电路结构

权利要求书

1.一种用于双管IGBT的门极电路结构，其特征在于，包括：焊接于PCB板上的用于上管IGBT的第一采集电路(1)、用于下管IGBT的第二采集电路(2)，所述第一采集电路(1)、第二采集电路(2)与双管IGBT的连接均采用间距为1.27mm±0.2mm的D型15针航空连接器及同轴电缆连接；所述第一采集电路(1)包括短路保护电路(3)、过压抑制电路(4)及滤波吸收稳压电路(5)，所述短路保护电路(3)的输出端分别与过压抑制电路(4)、滤波吸收稳压电路(5)连接，所述过压抑制电路(4)的输出端经过单相过压抑制二极管与滤波吸收稳压电路(5)连接；所述第二采集电路(2)与第一采集电路(1)的结构相同，相互独立。

2.根据权利要求1所述的用于双管IGBT的门极电路结构，其特征在于，所述短路保护电路(3)的输出端包括经电阻R116、R117分压形成的输出端A，经电阻R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、R18、R19分压形成的输出端SC1，所述输出端A与滤波吸收稳压电路连接，所述输出端SC1与IGBT驱动短路保护电路相接，输入端B与上管IGBT的端子C1连接。

3.根据权利要求1所述的用于双管IGBT的门极电路结构，其特征在于，所述过压抑制电路(4)包括依次串联的双向过压抑制二极管D14、单相过压抑制二极管D11、D12、D13，所述过压抑制电路(4)的输入端与上管IGBT的端子C1连接，输出端与上管IGBT的门极触发端子G1连接。

4.根据权利要求1所述的用于双管IGBT的门极电路结构，其特征在于，所述滤波吸收稳压电路(5)包括用于防止栅极驱动电路出现高压尖峰的箝位稳压电路和门极开通延缓充电电路。

5.根据权利要求4所述的用于双管IGBT的门极电路结构，其特征在于，所述箝位稳压电路包括并联连接的二极管D17、D18，并联连接的电容C13、C14、C15，所述二极管D17、D18的阴极均与并联电容C13、C14、C15的一端连接。

6.根据权利要求4所述的用于双管IGBT的门极电路结构，其特征在于，所述门极开通延缓充电电路包括二极管D16及并联连接的电容C11、C12，所述二极管D16的阳极与二极管D17、D18的阳极连接，所述二极管D16、D17、D18的阳极与上管IGBT的端子G1连接；所述二极管D16的阴极均与并联电容C11、C12的一端连接，并联电容C11、C12的一端与并联电容C13、C14、C15的另一端连接，并联电容C11、C12的另一端分别与短路保护电路的输出端A、上管IGBT的端子E1连接。

7.根据权利要求1所述的用于双管IGBT的门极电路结构，其特征在于，所述上管IGBT的端子C1、G1、E1分别与IGBT上管的集电极辅助端子C、门极端子G和发射极辅助端子E连接。

8.根据权利要求7所述的用于双管IGBT的门极电路结构，其特征在于，所述上管IGBT的端子C1、G1、E1利用PCB板焊盘通过螺栓与驱动输出的线束端子对应连接。

9.根据权利要求1-8任一项所述的用于双管IGBT的门极电路结构，其特征在于，所述PCB板上设置有镂空结构，所述镂空结构包括用于将第一采集电路(1)、第二采集电路(2)隔开的第一镂空结构(6)，用于将高压采样信号端C1和低压驱动信号端G1、E1隔离的第二镂空结构(7)。

10.根据权利要求1-8任一项所述的用于双管IGBT的门极电路结构，其特征在于，所述第一采集电路(1)、第二采集电路(2)包括的电子元器件均采用贴片封装。