[实用新型]一种用于整流电路的折叠空间电荷区肖特基二极管及整流电路

权利要求书

1.一种用于整流电路的折叠空间电荷区肖特基二极管，其特征在于，包括：衬底(001)、绝缘层(002)、外延层(003)、第一金属电极(004)、第二金属电极(005)、第一凹槽(006)，其中，

所述绝缘层(002)、所述外延层(003)依次层叠设置于所述衬底(001)上，所述外延层(003)的厚度为0.3～0.5μm；

所述第一凹槽(006)设置于所述外延层(003)上，所述第一凹槽(006)的厚度为0.05～0.15μm，所述第一凹槽(006)内填充有绝缘材料；

所述第一金属电极(004)设置于所述外延层(003)上，且设置于所述第一凹槽(006)的一侧，且所述第一金属电极(004)的下表面与所述外延层(003)的上表面接触；

所述第二金属电极(005)设置于所述外延层(003)上，且设置于所述第一凹槽(006)的另一侧；

所述第一凹槽(006)的底面至所述外延层(003)的底面之间的横截面积小于所述第二金属电极(005)的底面的面积。

2.根据权利要求1所述的折叠空间电荷区肖特基二极管，其特征在于，所述外延层(003)包括：第一掺杂区(0031)和第二掺杂区(0032)，所述第一掺杂区(0031)设置于所述外延层(003)的一侧，且所述第一掺杂区(0031)与所述第一金属电极(004)接触，所述第二掺杂区(0032)设置于所述外延层(003)的另一侧，且所述第二掺杂区(0032)与所述第二金属电极(005)接触。

3.根据权利要求1所述的折叠空间电荷区肖特基二极管，其特征在于，所述外延层(003)的材料为Ge或GeSn时，所述第一金属电极(004)为Al电极，所述第二金属电极(005)为W电极。

4.根据权利要求1所述的折叠空间电荷区肖特基二极管，其特征在于，所述外延层(003)的材料为GaAs时，所述第一金属电极(004)为Al电极，所述第二金属电极(005)为Pt电极、Ti电极、Au电极中的任一种。

5.一种整流电路，其特征在于，包括权利要求1～4任一项所述的用于整流电路的折叠空间电荷区肖特基二极管。