[实用新型]透明OLED基板、透明显示面板、阵列基板、显示屏及显示设备有效
申请号: | 201921085542.8 | 申请日: | 2018-12-28 |
公开(公告)号: | CN211654824U | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
发明(设计)人: | 彭兆基;刘明星;甘帅燕 | 申请(专利权)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/3225 |
代理公司: | 北京曼威知识产权代理有限公司 11709 | 代理人: | 方志炜 |
地址: | 065500 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 透明 oled 基板 显示 面板 阵列 显示屏 设备 | ||
1.一种透明OLED基板,其特征在于,所述透明OLED基板包括:
衬底;
形成于所述衬底上的驱动电路层;
形成于所述驱动电路层上的发光功能膜层;
其中,所述驱动电路层包括多个第一驱动电路单元,所述第一驱动电路单元包括存储电容及第一晶体管,所述存储电容包括第一极板与第二极板;所述第一驱动电路单元具有第一导电层,所述第一导电层的一部分作为所述第一极板,另一部分作为所述第一晶体管的栅极。
2.根据权利要求1所述的透明OLED基板,其特征在于,所述驱动电路层还包括电源线、数据线、扫描线及与多个第一驱动电路单元一一对应的阳极层,所述驱动电路层还具有第二导电层,所述第二导电层的一部分作为所述第二极板,另一部分作为所述电源线;所述第一驱动电路单元还包括第二晶体管,所述第一晶体管的源极与所述第二导电层连接,所述第一晶体管的漏极与对应的阳极层连接,所述第二晶体管的栅极与所述扫描线连接,所述第二晶体管的漏极分别与所述第一导电层连接,所述第二晶体管的源极与所述数据线连接。
3.根据权利要求2所述的透明OLED基板,其特征在于,所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述存储电容、所述数据线、所述扫描线及所述阳极层由透明材料制成。
4.根据权利要求2所述的透明OLED基板,其特征在于,所述驱动电路层还包括电源线、数据线、第一扫描线、第二扫描线、参考电位线及与多个第一驱动电路单元一一对应的阳极层,所述驱动电路层还具有第三导电层,所述第三导电层的一部分作为所述第二极板,另一部分作为对应的阳极层;所述第一驱动电路单元还包括第三晶体管和第四晶体管,所述第三晶体管的源极与所述数据线连接,所述第三晶体管的栅极与所述第一扫描线连接,所述第三晶体管的漏极与所述第一导电层连接,所述第一晶体管的漏极与所述电源线连接,所述第一晶体管的源极与所述第三导电层连接,所述第四晶体管的栅极与所述第二扫描线连接,所述第四晶体管的源极与所述参考电位线连接,所述第四晶体管的漏极与所述第三导电层连接。
5.根据权利要求4所述的透明OLED基板,其特征在于,所述第一晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述存储电容、所述数据线、所述第一扫描线、所述第二扫描线、所述参考电位线及所述阳极层由透明材料制成。
6.根据权利要求3或5所述的透明OLED基板,其特征在于,所述透明材料的透明率大于或等于90%。
7.根据权利要求6所述的透明OLED基板,其特征在于,所述透明材料为氧化铟锡或者氧化铟锌。
8.一种透明显示面板,其特征在于,所述透明显示面板包括权利要求1-7任一项所述的透明OLED基板及第一封装层,所述第一封装层设置在所述透明OLED基板的背离所述衬底的一侧。
9.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括第一OLED基板及第二OLED基板,所述第一OLED基板包括权利要求1-7任一项所述的透明OLED基板,所述第二OLED基板为非透明OLED基板;
所述第一OLED基板与所述第二OLED基板共用同一衬底,且所述第一OLED基板的发光功能膜层与所述第二OLED基板的发光功能膜层在同一工艺中形成。
10.根据权利要求9所述的阵列基板,其特征在于,所述第一OLED基板至少部分被所述第二OLED基板包围。
11.根据权利要求9所述的阵列基板,其特征在于,所述第二OLED基板的驱动电路层包括多个第二驱动电路单元,所述第二驱动电路单元包括的晶体管的数量大于所述第一驱动电路单元包括的晶体管的数量。
12.一种显示屏,其特征在于,所述显示屏包括权利要求9至11任一项所述的阵列基板及第二封装结构,所述第二封装结构设置在所述阵列基板上,所述阵列基板的第一OLED基板下方可设置感光元件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的