[实用新型]一种基准电路和集成电路有效
申请号: | 201921078092.X | 申请日: | 2019-07-10 |
公开(公告)号: | CN210534616U | 公开(公告)日: | 2020-05-15 |
发明(设计)人: | 许志玲;陈世超;许建超;夏书香 | 申请(专利权)人: | 深圳市锐能微科技有限公司 |
主分类号: | G05F3/26 | 分类号: | G05F3/26 |
代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 袁哲 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基准 电路 集成电路 | ||
1.一种基准电路,其特征在于,包括:
电源端子,所述电源端子用于接入电源;
公共电位端子,所述公共电位端子用于连接公共电位;
镜像电路,所述镜像电路的电源端连接所述电源端子,所述镜像电路的输入端连接偏置电流,所述镜像电路镜像所述偏置电流以在输出端输出基准电流;
偏置电路,包括接近零电压或负电压导通的第一晶体管和第一负载,所述第一晶体管的第一导通端连接所述镜像电路的输入端,所述第一晶体管的第二导通端连接所述第一负载的第一端,所述第一负载的第二端、所述第一晶体管的栅极以及所述晶体管的衬底接公共电位端子,所述偏置电路能自导通以在所述镜像电路的输入端形成所述偏置电流。
2.如权利要求1所述的基准电路,其特征在于,所述第一晶体管为Native NMOS管,所述Native NMOS管的漏极作为所述第一导通端,所述Native NMOS管的源极作为所述第二导通端。
3.如权利要求1所述的基准电路,其特征在于,所述镜像电路包括同属性的第二晶体管和第三晶体管,所述第二晶体管的第一导通端和所述第三晶体管的第一导通端作为所述镜像电路的电源端,所述第二晶体管的第二导通端作为所述镜像电路的输入端,所述第三晶体管的第二导通端作为所述镜像电路的输出端,所述第二晶体管的栅极和所述第三晶体管的栅极和所述第二晶体管的第二导通端共接。
4.如权利要求3所述的基准电路,其特征在于,所述第二晶体管和第三晶体管为PMOS管,所述PMOS管的源极作为所述第一导通端,所述PMOS管的漏极作为所述第二导通端。
5.如权利要求1至4任一项所述的基准电路,其特征在于,还包括第二负载,所述第二负载连接在所述镜像电路的输出端和公共电位端子之间,所述镜像电路的输出端输出基准电压。
6.如权利要求5所述的基准电路,其特征在于,所述第二负载包括第四晶体管,所述第四晶体管以二极管的连接方式连接在所述镜像电路的输出端与公共电位端子之间。
7.如权利要求6所述的基准电路,其特征在于,所述第二负载还包括与所述第四晶体管属性不同的第五晶体管,所述第五晶体管以二极管的连接方式连接在所述第四晶体管与所述镜像电路的输出端之间。
8.如权利要求6所述的基准电路,其特征在于,所述第四晶体管为NMOS管。
9.如权利要求7所述的基准电路,其特征在于,所述第五晶体管为PMOS管。
10.一种集成电路,其特征在于,包括权利要求1至9任一项所述的基准电路。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市锐能微科技有限公司,未经深圳市锐能微科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201921078092.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:保温板连接结构
- 下一篇:一种多线切割机的双燕尾槽载料台