[实用新型]一种可调控的室温石墨烯太赫兹探测器有效
申请号: | 201921070826.X | 申请日: | 2019-07-10 |
公开(公告)号: | CN210092112U | 公开(公告)日: | 2020-02-18 |
发明(设计)人: | 王林;郭万龙;郭程;陈效双;陆卫 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | H01L31/113 | 分类号: | H01L31/113;H01L31/028;H01L31/0232;H01L31/18;G01R29/08 |
代理公司: | 上海沪慧律师事务所 31311 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 200083 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 调控 室温 石墨 赫兹 探测器 | ||
1.一种可调控的室温石墨烯太赫兹探测器,包括衬底(1)、石墨烯(2)、平面开口环天线(3)、源极(4)、漏极(5)、介质层(6)和栅极,其特征在于:
所述探测器的结构自下而上为:第一层是衬底(1)、第二层是石墨烯(2)、以及搭在石墨烯上的平面开口环天线(3)和与天线相连接的源极(4)和漏极(5)、第三层是介质层(6)、第四层是栅极(7);
所述的衬底(1)为带有二氧化硅层的本征硅;
所述的石墨烯(2)为单层石墨烯;
所述的平面开口环天线(3)、源极(4)和漏极(5)均有两层金属层,下层金属为铬,上层金属为金;
所述的介质层(6)为氧化铝;
所述的栅极(7)有两层金属层,下层金属是铬,上层金属是金。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的