[实用新型]一种波导型光电探测器

权利要求书

1.波导型光电探测器，包括：

形成于绝缘体上的硅(SOI)衬底的顶层硅中的第一掺杂硅区，所述第一掺杂硅区为P型掺杂；

形成于所述第一掺杂硅区表面的本征硅层；

形成于所述本征硅层表面的第二掺杂硅层，所述第二掺杂硅层为N型掺杂；

形成于所述第二掺杂硅层表面的本征材料层；

形成于所述本征材料层表面的第三掺杂层，所述第三掺杂层为P型掺杂，其中，所述本征材料层和所述第三掺杂层的材料相同，并且，所述本征材料层和所述第三掺杂层的材料不同于硅；

形成于所述绝缘体上的硅衬底的顶层硅中的第四掺杂硅区，所述第四掺杂硅区为P型掺杂，所述第四掺杂硅区的掺杂浓度高于所述第一掺杂硅区的掺杂浓度，所述第四掺杂区位于所述第一掺杂硅区的横向的第一方向的至少一侧，并与所述第一掺杂硅区连接；以及

光波导，其形成于所述绝缘体上的硅衬底的埋氧层表面，所述光波导在横向上的与所述第一方向垂直的第二方向上延伸，并且，所述光波导的第二方向上的端面与所述第一掺杂硅区连接。

2.如权利要求1所述的波导型光电探测器，其中，

所述第四掺杂硅区的数量为2，分别位于所述第一掺杂硅区在所述第一方向的两侧。

3.如权利要求1所述的波导型光电探测器，其中，

所述光波导的材料的折射率高于所述埋氧层的材料的折射率，并且，所述光波导的材料对于所述波导型光电探测器所能响应的波长范围的光的吸收系数低于预定值。

4.如权利要求3所述的波导型光电探测器，其中，

所述光波导的材料为氮化硅(Si₃N₄)。

5.如权利要求1所述的波导型光电探测器，其中，所述波导型光电探测器还包括：

第一电极，其形成于所述第三掺杂层表面；以及

第二电极，其形成于所述第四掺杂硅区表面。

6.如权利要求5所述的波导型光电探测器，其中，所述波导型光电探测器还包括：

偏置电源，其连接于所述第一电极和所述第二电极之间，

其中，所述偏置电源能够切换施加给所述第一电极和所述第二电极之间偏压的极性。

7.如权利要求1所述的波导型光电探测器，其中，

所述本征材料层和所述第三掺杂层的材料为包含锗(Ge)的材料。