[实用新型]一种单基岛的SOT引线框架有效

专利信息
申请号: 201921034429.7 申请日: 2019-07-01
公开(公告)号: CN210092071U 公开(公告)日: 2020-02-18
发明(设计)人: 王霞;张国庆;李琦 申请(专利权)人: 天水华天科技股份有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L23/367
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 李鹏威
地址: 741000 甘*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要:
搜索关键词: 一种 单基岛 sot 引线 框架
【说明书】:

实用新型公开了一种单基岛的SOT引线框架,包括框架本体和引线框架单元组,每组引线框架单元组内包括横向并排设置的4个引线框架单元,所述引线框架单元包括基岛和若干引脚,基岛的下方设置引脚Ⅰ、引脚Ⅱ和引脚Ⅲ,基岛的上方设置引脚Ⅳ和引脚Ⅴ,引脚Ⅳ为矩形结构,引脚Ⅰ、引脚Ⅱ和引脚Ⅲ的宽度相等,引脚Ⅳ的宽度大于引脚Ⅰ、引脚Ⅱ、引脚Ⅲ和引脚Ⅴ,引脚Ⅳ的内引脚和基岛相接处设置锁定孔Ⅰ,引脚Ⅳ的外引脚为分叉状,分叉之间设置应力释放槽Ⅱ,引脚Ⅰ、引脚Ⅱ和引脚Ⅲ的内引脚均为“T”形结构。本实用新型具有失效率低、节省空间、成本低等优点,并可缩短产品上市时间,降低投资风险,具有广泛的应用价值。

技术领域

本实用新型属于半导体芯片封装技术领域,具体涉及一种单基岛的SOT引线框架。

背景技术

自电子器件制造业产生以来,半导体行业提供了各种各样的封装件来包封芯片,从第一只电子器件诞生到现在,半导体正朝着小型化、高集成、多媒体化的方向发展,半导体封装逐渐趋向于高密度、小型化、高性能、多芯片组配、低成本的方向发展。在传统封装中,DIP、SOP封装是基础的封装形式,应用面广大,随着半导体封装产品集成化、小型化的趋势,半导体核心的芯片也发展的集成度更高、尺寸更小,而封装外形不变,造成了芯片与引脚间的焊线增长,会增加IC器件内部的电阻、电感和寄生电容值,且焊线长度越长效能影响越大,能够承载的电流越小,又不能很好地实现热传导及信号输出的效果,极大地限制了其应用范围。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种单基岛的SOT引线框架,以解决上述问题。

为了达到上述目的,本实用新型采用的技术方案为:

一种单基岛的SOT引线框架,包括框架本体和设置于框架本体上的若干列引线框架单元组,每组引线框架单元组之间设有应力释放槽Ⅰ,每组引线框架单元组内包括横向并排设置的4个引线框架单元,所述引线框架单元包括基岛和若干引脚,基岛的下方设置引脚Ⅰ、引脚Ⅱ和引脚Ⅲ,基岛的上方设置引脚Ⅳ和引脚Ⅴ,引脚Ⅳ为矩形结构,引脚Ⅰ、引脚Ⅱ和引脚Ⅲ的宽度相等,引脚Ⅳ的宽度大于引脚Ⅰ、引脚Ⅱ、引脚Ⅲ和引脚Ⅴ,引脚Ⅳ的内引脚和基岛相接处设置锁定孔Ⅰ,引脚Ⅳ的外引脚为分叉状,分叉之间设置应力释放槽Ⅱ,引脚Ⅰ、引脚Ⅱ和引脚Ⅲ的内引脚均为“T”形结构。

引脚Ⅰ、引脚Ⅱ和引脚Ⅲ之间间距的第一种情况:所述引脚Ⅰ和引脚Ⅱ的间距大于引脚Ⅱ和引脚Ⅲ的间距。

所述引脚Ⅰ和引脚Ⅱ的内引脚之间的间距等于引脚Ⅱ和引脚Ⅲ的内引脚之间的间隔距离的两倍与引脚Ⅰ的内引脚的宽度之和。

引脚Ⅰ、引脚Ⅱ和引脚Ⅲ之间间距的第二种情况:所述引脚Ⅰ和引脚Ⅱ的间距小于引脚Ⅱ和引脚Ⅲ的间距。

所述引脚Ⅱ和引脚Ⅲ的内引脚之间的间距等于引脚Ⅰ和引脚Ⅱ的内引脚之间的间隔距离的两倍与与引脚Ⅰ的内引脚的宽度之和。

引脚Ⅴ结构的第一种情况:所述引脚Ⅴ的内引脚与基岛相连,引脚Ⅴ的内引脚和基岛相接处设置锁定孔Ⅱ,引脚Ⅴ的内引脚的宽度大于引脚Ⅰ的内引脚的宽度。

引脚Ⅴ结构的第二种情况:所述引脚Ⅴ的内引脚与基岛不相连,引脚Ⅴ的内引脚的宽度大于引脚Ⅰ的内引脚的宽度。

本实用新型相较于现有技术的有益效果为:

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