[实用新型]防止反向电压的电路有效

专利信息
申请号: 201921014760.2 申请日: 2019-07-02
公开(公告)号: CN210468823U 公开(公告)日: 2020-05-05
发明(设计)人: 傅焱辉;刘昌鑑 申请(专利权)人: 宁德时代新能源科技股份有限公司
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人: 段月欣
地址: 352100 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 防止 反向 电压 电路
【说明书】:

实用新型公开了一种防止反向电压的电路。该电路包括:第一MOSFET,第一MOSFET的漏极与电池组的负极连接,第一MOSFET的栅极与第二MOSFET的漏极和第一限流模块的一端连接,第一MOSFET的源极与负载连接;第二MOSFET,第二MOSFET的栅极与第二限流模块的一端连接,第二MOSFET的源极与电池组的正极连接;第一限流模块,第一限流模块的另一端与电池组的正极和负载连接;第二限流模块,第二限流模块的另一端与电池组的负极连接;其中,第一MOSFET为N沟道MOSFET,第二MOSFET为N沟道MOSFET。根据本实用新型提供的实施例,能够快速阻止电池组内部或电池组所在回路产生的反向电压。

技术领域

本实用新型涉及新能源领域,尤其涉及一种防止反向电压的电路。

背景技术

电动汽车替代燃油汽车已成为汽车业发展的趋势。电池包的续航里程、使用寿命及使用安全等对电动汽车的使用都显得尤为重要。电动汽车供电常用方案是用两个电池进行供电,一个电池为高压电池组,该高压电池组用于给电机等大功率设备供电,另一个电池为低压电池组,该低压电池组用于给控制器供电,如整车控制器、电池管理系统等。在实际使用中,需要防止负载被电池组内部或电池组所在回路产生的反向电压所损坏。

如图1所示,目前可以通过在电池组负极输出端串联一个金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)防止负载被电池组内部或电池组所在回路产生的反向电压所损坏。其中,与MOSFET串联的限流模块起限流作用。但是由于MOSFET内部存在寄生电容参数,导致电池组或电池组所在回路突然施加的反向电压无法被快速阻止。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种防止反向电压的电路,能够快速阻止电池组内部或电池组所在回路产生的反向电压。

根据本实用新型的一方面,提供一种防止反向电压的电路,该电路包括:

第一MOSFET,第一MOSFET的漏极与电池组的负极连接,第一MOSFET的栅极与第二MOSFET的漏极和第一限流模块的一端连接,第一MOSFET的源极与负载连接;

第二MOSFET,第二MOSFET的栅极与第二限流模块的一端连接,第二MOSFET的源极与电池组的正极连接;

第一限流模块,第一限流模块的另一端与电池组的正极和负载连接;

第二限流模块,第二限流模块的另一端与电池组的负极连接;

其中,第一MOSFET为N沟道MOSFET,第二MOSFET为N沟道MOSFET。

在一个实施例中,第一限流模块包括第一电阻网络,第一电阻网络的一端与第一MOSFET的栅极连接,第一电阻网络的另一端与电池组的正极和负载连接。

在一个实施例中第二限流模块包括第二电阻网络,设置于第二MOSFET的栅极和电池组的负极之间。

在一个实施例中,防止反向电压的电路还包括:

第一过压保护模块,设置于第一MOSFET的栅极和第一MOSFET的源极之间,用于为第一MOSFET提供过压保护。

在一个实施例中,第一过压保护模块包括:

第一二极管,第一二极管的阳极与第一MOSFET的源极连接,第一二极管的阴极与第一MOSFET的栅极连接。

在一个实施例中,防止反向电压的电路还包括:

第二过压保护模块,设置于第二MOSFET的源极和第二MOSFET的栅极之间。

在一个实施例中,第二过压保护模块包括:

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