[实用新型]螺旋搅拌加热装置有效
申请号: | 201921006043.5 | 申请日: | 2019-06-28 |
公开(公告)号: | CN210385538U | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
发明(设计)人: | 刘留;罗爱斌;陈章水;周铁军;宾启雄;杨伟;蔡新志 | 申请(专利权)人: | 广东先导先进材料股份有限公司 |
主分类号: | B01F7/00 | 分类号: | B01F7/00;B01F15/06 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 纪志超 |
地址: | 511517 广东省清*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 螺旋 搅拌 加热 装置 | ||
本实用新型提供了一种螺旋搅拌加热装置,包括:气体导流主管;沿所述气体导流主管外表面螺旋设置的一体化搅拌叶片;设置在所述气体导流主管底部的圆盘式出风结构;所述圆盘式出风结构由形成圆盘状空腔的圆形顶面和圆形底面组成;所述圆形底面均匀分布有若干个出风口。与现有技术相比,本实用新型提供的螺旋搅拌加热装置采用特定结构,能够在通入高温气体的条件下同时进行加热和搅拌,热利用率高,有助于实现在真空环境下的脱水炉中实现充分、均匀脱水,提高脱水效率,避免异物污染。
技术领域
本实用新型涉及氧化硼合成技术领域,更具体地说,是涉及一种螺旋搅拌加热装置。
背景技术
近年来,砷化镓半导体在发光器件和高频器件需求旺盛,业内公司除积极扩产外,晶体良品率的提升也将极大推动产能扩大满足市场需求。目前,国内生产砷化镓的晶体生长良品率一般在70%以下,与国外相关技术的晶体生长良品率达80%以上存在明显差距;因此,开发新技术以提高砷化镓的晶体生长良品率,进而提高半导体晶体电性能成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。
作为砷化镓单晶生长的重要原料,高纯氧化硼对提高砷化镓的晶体生长良品率具有重要作用。但是,现有技术中高纯氧化硼的制备方法中原料硼酸的脱水工艺非常初级,具体为:将水解高纯硼酸混合液依次经过滤、100℃蒸发干燥,得到初级脱水高纯硼酸,再用40cm×30cm的平底不锈钢托盘装盘,依次经110℃~160℃烘烤箱烘烤8h~14h、静置冷却至常温,得到干燥的高纯硼酸包装捆扎;该工艺虽然设备成本低(仅用烘烤箱)、操作简单,但是一方面存在脱水不均匀、不充分且效率低的缺点,这是由于平底不锈钢托盘放置的初级脱水高纯硼酸不便翻动,仅靠长时间烘烤脱水,脱水效率低,且结块部分或料块内部脱水不充分,而料块外部或疏松部位的原料则已比较干燥;另一方面存在异物污染隐患,这是由于烘烤箱未能形成真空环境,极易导致在微粉尘环境下铝、铁、钙等杂质超标。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型的目的在于提供一种螺旋搅拌加热装置,有助于实现在真空环境下的脱水炉中实现充分、均匀脱水,提高脱水效率,避免异物污染。
本实用新型提供了一种螺旋搅拌加热装置,包括:
气体导流主管;
沿所述气体导流主管外表面螺旋设置的一体化搅拌叶片;
设置在所述气体导流主管底部的圆盘式出风结构;所述圆盘式出风结构由形成圆盘状空腔的圆形顶面和圆形底面组成;所述圆形底面均匀分布有若干个出风口。
优选的,所述圆形顶面的边缘向下延伸形成圆环形边框,所述圆形底面平行于所述圆环形边框,并与所述圆形顶面形成圆盘状空腔。
优选的,所述圆形顶面与所述气体导流主管相连通,使气体导流主管中的气体能够进入所述圆盘状空腔。
优选的,所述出风口为出风方向与气体导流主管的搅拌方向相反的异型导流口。
优选的,所述出风口的排列方式为:
在以所述圆形底面的圆心为轴的若干个同心圆上均匀排列。
优选的,所述同心圆的个数为3个~8个。
优选的,所述出风口的个数为20个~90个。
本实用新型提供了一种螺旋搅拌加热装置,包括:气体导流主管;沿所述气体导流主管外表面螺旋设置的一体化搅拌叶片;设置在所述气体导流主管底部的圆盘式出风结构;所述圆盘式出风结构由形成圆盘状空腔的圆形顶面和圆形底面组成;所述圆形底面均匀分布有若干个出风口。与现有技术相比,本实用新型提供的螺旋搅拌加热装置采用特定结构,能够在通入高温气体的条件下同时进行加热和搅拌,热利用率高,有助于实现在真空环境下的脱水炉中实现充分、均匀脱水,提高脱水效率,避免异物污染。
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