[实用新型]一种破损检测系统有效
申请号: | 201921004948.9 | 申请日: | 2019-06-28 |
公开(公告)号: | CN210378971U | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 徐义;陈建巍;曾海斌;马良锋 | 申请(专利权)人: | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L31/18 |
代理公司: | 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 | 代理人: | 姜波 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 破损 检测 系统 | ||
本实用新型提供了一种破损检测系统,包括:蒸镀腔室和微波检测装置,所述微波检测装置沿着垂直于被检测工件的方向设置在所述蒸镀腔室的外侧,所述蒸镀腔室与所述微波检测装置的光路相接触的位置对称设有密封窗,所述密封窗由低介电常数的材料制成。本实用新型采用微波检测装置代替现有的光电传感器,有效增强光波的穿透力,并且微波检测装置设置在所述蒸镀腔室的外侧,从而避免传感器会受到蒸镀云层的干扰,通过利用微波可以穿透低介电常数的材料,被高介电常数的材料反射的性能,微波会穿透密封窗实现对CIGS玻璃的检测,最终保证检测效果。
技术领域
本实用新型涉及光伏组件加工的技术领域,具体涉及一种破损检测系统。
背景技术
CIGS为铜铟镓硒薄膜太阳能电池板,是由Cu(铜)、In(铟)、Ga(镓)、Se(硒)四种元素构成最佳比例的黄铜矿结晶薄膜太阳能电池,是组成电池板的关键技术,目前在生产CIGS玻璃时,CIGS玻璃容易存在隐性缺陷,比如CIGS玻璃内部存在破损或者裂缝或者其他隐形缺陷的情况,故需要检测系统对其进行检测;
现有技术中采用的方式为蒸镀腔室内设有光电传感器对CIGS玻璃进行检测,在检测过程中,光电传感器会受到蒸镀云层的影响,从而形成错误信号,影响检测效果,但是如果仅将光电传感器移至蒸镀腔室外面,由于光电信号穿透力有限,则无法实现检测。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型的目的在于提供一种破损检测系统,从而缓解现有的破损检测系统在检测时会受到蒸镀云层的影响形成错误信号所带来的技术问题。
(一)技术方案
本实用新型提供了一种破损检测系统,包括:蒸镀腔室和微波检测装置,所述微波检测装置沿着垂直于被检测工件的方向设置在所述蒸镀腔室的外侧,所述蒸镀腔室与所述微波检测装置的光路相接触的位置对称设有密封窗,所述密封窗由低介电常数的材料制成。
可选的,所述微波检测装置包括:微波探头和微波接收天线,所述微波探头设置在所述蒸镀腔室的一侧,所述微波接收天线设置于所述蒸镀腔室的另一侧;所述微波探头的中心与微波接收天线的中心相对设置,且所述微波探头与所述微波接收天线通过电缆电性连接。
可选的,所述微波探头中设有微波发射器,所述微波接收天线中设有微波传感器,所述微波发射器与微波传感器的中心相对设置于所述蒸镀腔室的两侧。
可选的,所述微波检测装置还包括:信号转换系统和上位机,所述上位机用于将所述信号转换系统发出的信号,经过处理后形成微波图像;所述微波接收天线的输出端与所述信号转换系统的输入端电性连接;所述信号转换系统的输出端与所述上位机电性连接。
可选的,所述信号转换系统包括:信号放大器和数/模信号转换器,
所述微波接收天线的电压信号输出端与所述信号放大器的输入端电性连接;所述信号放大器的输出端与所述数/模信号转换器的输入端电性连接;所述数/模信号转换器的输出端与所述上位机电性连接。
可选的,所述信号转换系统还包括:位置传感器,所述位置传感器用于检测缺陷的位置,所述位置传感器的输入端与所述微波探头电性连接;所述位置传感器的输出端与所述数/模信号转换器的输入端电性连接。
可选的,所述蒸镀腔室内设有传输装置,所述传输装置设置为滚筒或输送带。
可选的,所述微波检测装置包括:微波探头和微波接收天线,所述微波探头设置在所述传输装置的上侧,所述微波接收天线设置在所述传输装置的下侧。
可选的,所述微波发射器发射出的微波频率为300MHz-300GHz。
可选的,所述微波探头的中心与微波接收天线的中心之间的传输距离大于等于40cm。
(二)有益效果:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造