[实用新型]晶圆及半导体器件有效
| 申请号： | 201920997500.5 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN210110749U | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 吴秉桓 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 王辉;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶圆，其特征在于，所述晶圆包括：
晶圆本体，所述晶圆本体上设置有用于切割的切割道；
切割硅通孔，设于所述切割道中，所述切割硅通孔内填充有保护材料。
2.如权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述切割硅通孔形成于所述切割道并沿所述切割道的延伸方向延伸。
3.如权利要求2所述的晶圆，其特征在于，所述切割硅通孔包括连续分布的硅通孔或者离散分布的硅通孔。
4.如权利要求2所述的晶圆，其特征在于，所述切割道形成有多行切割硅通孔。
5.如权利要求2所述的晶圆，其特征在于，所述切割硅通孔的宽度为2微米-50微米，所述切割硅通孔的深度为15微米-150微米。
6.如权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述保护材料包括：铜、钨、铝、钽、钛、氮化钽、氮化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氮化硅、聚酰亚胺和正硅酸乙酯中的一种或多种。
7.如权利要求6所述的晶圆，其特征在于，所述切割硅通孔中设置有气隙孔。
8.一种半导体器件，其特征在于，包括多层如权利要求1-7任一项所述的晶圆，多层所述晶圆堆叠设置。
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