[实用新型]晶圆及半导体器件有效
| 申请号： | 201920996909.5 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN210015846U | 公开（公告）日： | 2020-02-04 |
| 发明（设计）人： | 吴秉桓 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/764 | 分类号： | H01L21/764;H01L21/768 |
| 代理公司： | 11438 北京律智知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王辉;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅通孔 切割道 止裂 保护材料 晶圆本体 晶圆 填充 切割 半导体器件 有效利用率 晶圆切割 两侧设置 晶粒区 有效地 减小 微缩 种晶 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶圆，其特征在于，所述晶圆包括：
晶圆本体，所述晶圆本体上设置有用于切割的切割道；
止裂硅通孔，设于所述切割道的侧部，所述止裂硅通孔内填充有保护材料。
2.如权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述止裂硅通孔形成于所述切割道延伸方向的两侧。
3.如权利要求2所述的晶圆，其特征在于，所述止裂硅通孔包括连续分布的硅通孔或者离散分布的硅通孔。
4.如权利要求2所述的晶圆，其特征在于，所述切割道的一侧形成有多行止裂硅通孔。
5.如权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述止裂硅通孔的宽度为2微米-20微米，所述止裂硅通孔的深度为15微米-150微米。
6.如权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述保护材料包括：铜、钨、铝、钽、钛、氮化钽、氮化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氮化硅、聚酰亚胺和正硅酸乙酯中的一种或多种。
7.如权利要求6所述的晶圆，其特征在于，所述止裂硅通孔中设置有气隙孔。
8.一种半导体器件，其特征在于，包括多层如权利要求1-7任一项所述的晶圆，多层所述晶圆堆叠设置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
