[实用新型]一种AMOLED封装结构有效
| 申请号: | 201920992116.6 | 申请日: | 2019-06-28 |
| 公开(公告)号: | CN210200736U | 公开(公告)日: | 2020-03-27 |
| 发明(设计)人: | 罗云鹏 | 申请(专利权)人: | 福建华佳彩有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 福州市博深专利事务所(普通合伙) 35214 | 代理人: | 张明 |
| 地址: | 351100 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 amoled 封装 结构 | ||
本实用新型涉及微电子技术领域,特别涉及一种AMOLED封装结构,包括背板玻璃、阵列膜层、有机层、有机平坦层和盖板玻璃,所述阵列膜层、有机层、有机平坦层和盖板玻璃依次设置在所述背板玻璃表面,通过在frit胶层下方设置金属层,能够有效预防激光密封制程造成外围驱动线路的受损,从而提高产品的良率,以降低生产成本。
技术领域
本实用新型涉及微电子技术领域,特别涉及一种AMOLED封装结构。
背景技术
有源矩阵有机发光二极体(Active-matrix organic light-emitting diode,缩写为AMOLED)工艺主要分为蒸镀和封装两个主要制程,封装的主要目的是将外界水汽和氧气隔绝在有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,缩写为OLED)面板以外,以保证OLED有机膜的寿命。而封装制程目前有Frit、四氟乙烯(TFE)、Dam and Filler等。目前硬板AMOLED常用的是Frit制程,主要是利用网印制程,将Frit印刷到盖板玻璃上,并在封装设备与背板做合板以后,通过激光密封(Laser Sealing)制程,使用激光烧结技术,使Frit烧结,以达到将OLED面板与外界空气隔绝的目的。
现行的Laser Sealing制程会将激光聚焦到Frit上,但因为激光能量具有辐射特性,激光能量会辐射到Frit下方的线路上,激光烧结时温度可达800℃~1000℃左右的高温,而OLED面板外围驱动线路通常是以Al为主要材质,而Al的熔点为660.4℃,因此LaserSealing制程很容易会导致Al融化而造成线路受损,造成面板报废。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是:一种AMOLED封装结构。
为了解决上述技术问题,本实用新型采用的技术方案为:
一种AMOLED封装结构,包括背板玻璃,在所述背板玻璃表面上依次层叠设有阵列膜层、有机层、有机平坦层和盖板玻璃;
所述有机平坦层上设有开口,所述开口中填充有金属层和frit胶层,所述frit胶层和金属层依次设置在所述有机层表面,所述frit胶层远离背板玻璃的一侧面与所述盖板玻璃靠近背板玻璃的一侧面接触。
本实用新型的有益效果在于:
通过在frit胶层下方设置金属层,能够有效预防激光密封制程造成外围驱动线路的受损,避免封装完成后由于驱动线路的损失造成产品无法正常使用以致造成生产材料及生产产能的浪费,本方案设计的AMOLED封装结构在生产材料成本和产能上都节约了支出,从而提升产品收益和提高产品的良率。
附图说明
图1为根据本实用新型的一种AMOLED封装结构的结构示意图;
标号说明:
1、背板玻璃;2、阵列膜层;3、有机层;4、有机平坦层;5、盖板玻璃;6、金属层;7、frit胶层。
具体实施方式
为详细说明本实用新型的技术内容、所实现目的及效果,以下结合实施方式并配合附图予以说明。
本实用新型最关键的构思在于:通过设置金属层以预防激光密封制程造成外围驱动线路的受损。
请参照图1,本实用新型提供的技术方案:
一种AMOLED封装结构,包括背板玻璃,在所述背板玻璃表面上依次层叠设有阵列膜层、有机层、有机平坦层和盖板玻璃;
所述有机平坦层上设有开口,所述开口中填充有金属层和frit胶层,所述frit胶层和金属层依次设置在所述有机层表面,所述frit胶层远离背板玻璃的一侧面与所述盖板玻璃靠近背板玻璃的一侧面接触。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





