[实用新型]一种半导体单片集成电路的光刻设备有效

专利信息
申请号: 201920984552.9 申请日: 2020-03-04
公开(公告)号: CN210402010U 公开(公告)日: 2020-04-24
发明(设计)人: 李子考;喻凤翔 申请(专利权)人: 盐城华旭光电技术有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 北京华际知识产权代理有限公司 11676 代理人: 范登峰
地址: 224014 江苏省盐城市盐都*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 单片 集成电路 光刻 设备
【说明书】:

实用新型公开了一种半导体单片集成电路的光刻设备,包括底座,所述底座上表面两端分别设置有收缩杆,且底座上表面设置有喷胶台,所述喷胶台一侧设置有软烘台,所述软烘台一侧设置有曝光台,所述收缩杆上端设置有移动杆,且收缩杆一侧设置有固定螺丝,所述移动杆上端连接有背墙,所述背墙一侧设置有移动轨道,所述移动轨道下端设置有光刻组件。通过设置移动杆、固定螺丝和收缩杆,可以调节固定螺丝来调节移动杆在收缩杆内部的上下滑动来控制光刻组件与底座的距离,该设计简单,易于操作;通过设置移动器和移动轨道,可以是光刻组件在移动轨道上来回滑动,使光刻组件对底座上的工作台分布操作,该设计简单,减轻了工作人员的工作强度。

技术领域

本实用新型涉及集成电路的光刻技术领域,具体是一种半导体单片集成电路的光刻设备。

背景技术

光刻技术是指在光照作用下,借助光致抗蚀剂(又名光刻胶)将掩膜版上的图形转移到基片上的技术,其主要过程为:首先紫外光通过掩膜版照射到附有一层光刻胶薄膜的基片表面,引起曝光区域的光刻胶发生化学反应,经曝光系统将预制在掩模版上的器件或电路图形按所要求的位置,精确传递到预涂在晶片表面或介质层上的光致抗蚀剂薄层上;再通过显影技术溶解去除曝光区域或未曝光区域的光刻胶,使掩膜版上的图形被复制到光刻胶薄膜上,利用化学或物理方法,将抗蚀剂薄层未掩蔽的晶片表面或介质层除去,从而在晶片表面或介质层上获得与抗蚀剂薄层图形完全一致的图形。集成电路各功能层是立体重叠的,因而光刻工艺总是多次反复进行。

但是,现有光刻技术中不能随意调节光刻组件与工作台的距离,而且现有的光刻设备不能在工作台上端移动,不方便工作人员的工作。因此,本领域技术人员提供了一种半导体单片集成电路的光刻设备,以解决上述背景技术中提出的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种半导体单片集成电路的光刻设备,以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:

一种半导体单片集成电路的光刻设备,包括底座,所述底座上表面两端分别设置有收缩杆,且底座上表面设置有喷胶台,所述喷胶台一侧设置有软烘曝光台,所述软烘曝光台一侧设置有刻蚀台,所述收缩杆上端设置有移动杆,且收缩杆一侧设置有固定螺丝,所述移动杆上端连接有背墙,所述背墙一侧设置有移动轨道,所述移动轨道下端设置有光刻组件。

作为本实用新型再进一步的方案:所述光刻组件包括移动器、烘干器、光刻胶杆、激光器和热源,所述移动器下端连接有热源,所述热源两端设置有光刻胶杆,所述光刻胶杆与热源底端连接有烘干器,所述烘干器下方设置有激光器。

作为本实用新型再进一步的方案:所述收缩杆底端与底座上表面焊接,所述移动杆顶端与背墙下表面焊接,所述收缩杆与移动杆滑动连接。

作为本实用新型再进一步的方案:所述光刻胶杆与热源处在同一水平面上,且光刻胶杆与热源外表面的材质为耐热合金,所述光刻胶杆的直径为3cm。

作为本实用新型再进一步的方案:所述移动器与移动轨道滑动连接,且移动器与移动轨道为材质相同的构件。

作为本实用新型再进一步的方案:所述喷胶台、软烘曝光台和刻蚀台完全相同,且喷胶台、软烘曝光台和刻蚀台焊接在底座的上表面。

作为本实用新型再进一步的方案:所述烘干器为铜材质的构件,且烘干器的厚度为2cm。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:

1、通过设置移动杆、固定螺丝和收缩杆,可以调节固定螺丝来调节移动杆在收缩杆内部的上下滑动来控制光刻组件与底座的距离,该设计简单,易于操作。

2、通过设置移动器和移动轨道,可以是光刻组件在移动轨道上来回滑动,使光刻组件对底座上的工作台分布操作,该设计简单,减轻了工作人员的工作强度。

附图说明

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