[实用新型]高隔离度的圆极化天线装置有效

专利信息
申请号: 201920983225.1 申请日: 2019-06-27
公开(公告)号: CN209896246U 公开(公告)日: 2020-01-03
发明(设计)人: 李庚禄;施静;吴艳杰;李铎;张慧龙;刘兆;华娟 申请(专利权)人: 江苏三和欣创通信科技有限公司
主分类号: H01Q1/36 分类号: H01Q1/36;H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q5/28;H01Q1/52;H01Q1/28
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 225327 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 辐射片 倒F型 导电接地平面 介质基片表面 双圆极化信号 系统终端设备 本实用新型 圆极化天线 圆极化信号 垂直设置 独立输出 对称分布 发射信号 高隔离度 隔离度高 介质基片 金属导体 水平设置 应用需求 馈电点 重量轻 右旋 左旋 制导 对称 开路 测量 发射 辐射 加工
【权利要求书】:

1.一种高隔离度的圆极化天线装置,其特征在于,包括:导电接地平面、设于导电接地平面上的介质基片和设于介质基片表面的若干辐射片;

所述辐射片为一层用于接收或发射信号的金属导体,辐射片包括若干个对称分布的倒F型辐射片组,每个倒F型辐射片组包括一个A型倒F型辐射片和一个B型倒F型辐射片;A型倒F型辐射片和B型倒F型辐射片对称设置;

所述A型倒F型辐射片和B型倒F型辐射片分别包括水平设置的上部和垂直设置的下部,A型倒F型辐射片和B型倒F型辐射片的上部分别贴设于介质基片上表面,A型倒F型辐射片和B型倒F型辐射片的下部分别贴设于介质基片侧壁表面;

所述倒F型辐射片组的A型倒F型辐射片和B型倒F型辐射片中,一个作为馈电点,另一个作为开路。

2.如权利要求1所述的高隔离度的圆极化天线装置,其特征在于,每个倒F型辐射片组包中所述每个A型倒F型辐射片底部设有第一接触点和第二接触点,每个B型倒F型辐射片底部设有第三接触点和第四接触点。

3.如权利要求2所述的高隔离度的圆极化天线装置,其特征在于,每个倒F型辐射片组中,所述第一接触点和第四接触点与导电接地平面连接,第二接触点和第三接触相邻,第三接触点为馈电点,第二接触点不与导电接地平面连接。

4.如权利要求3所述的高隔离度的圆极化天线装置,其特征在于,所述第二接触点为馈电点且该馈电点处开路。

5.如权利要求4所述的高隔离度的圆极化天线装置,其特征在于,所述倒F型辐射片组共四组。

6.如权利要求5所述的高隔离度的圆极化天线装置,其特征在于,所述四个A型倒F型辐射片实现信号的左旋圆极化;

所述四个B型倒F型辐射片实现信号的右旋圆极化。

7.如权利要求1-6任意一项所述的高隔离度的圆极化天线装置,其特征在于,所述介质基片有一层或上下堆叠的多层。

8.如权利要求7所述的高隔离度的圆极化天线装置,其特征在于,所述介质基片包括下层的高介质常数介质基片和上层的低介电常数介质基片。

9.如权利要求8所述的高隔离度的圆极化天线装置,其特征在于,所述介质基片整体呈圆柱形、半圆锥形或阶梯状圆柱形中的一种。

10.如权利要求8所述的高隔离度的圆极化天线装置,其特征在于,所述介质基片中部为实心或加工有圆形贯通孔。

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