[实用新型]一种蚀刻机台气体输送互锁装置有效
申请号: | 201920980834.1 | 申请日: | 2019-06-26 |
公开(公告)号: | CN210040142U | 公开(公告)日: | 2020-02-07 |
发明(设计)人: | 麦永业;朱进;刘家桦;叶日铨;薛荣华 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 31313 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人: | 张东梅 |
地址: | 223302 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 气体输送管道 混合阀 气体流量控制器 气体安全阀 气体输入管 反应腔 串联 本实用新型 互锁装置 气体输送 蚀刻机台 | ||
本实用新型公开了一种蚀刻机台气体输送互锁装置,包括:第一气体输送管道,所述第一气体输送管道依次由第一气体输入管、第一气体先级阀、第一气体流量控制器(MFC)、第一气体安全阀和第一气体后级阀串联构成;第二气体输送管道,所述第二气体输送管道依次由第二气体输入管、第二气体先级阀、第二气体流量控制器(MFC)、第二气体安全阀和第二气体后级阀串联构成;混合阀,所述第一气体输送管道和所述第二气体输送管道连接至所述混合阀;以及反应腔,所述混合阀连接至所述反应腔。
技术领域
本实用新型涉及半导体设备技术领域,尤其涉及一种蚀刻机台气体输送互锁装置。
背景技术
蚀刻机台工艺蚀刻中需要各类气体是通过混合成一管混合气体进入工艺腔进行反应。有的工艺中会使用到氢气和氧气,而氢气和氧气在同时输送混合时会发生爆炸。图1示出现有的刻蚀设备输气管道100的示意图,如图1所示,现有的刻蚀设备输气管道100包括氢气输送管道110、氧气输送管道120、混合阀130以及反应腔140构成;其中氢气输送管道110进一步包括氢气入口111、氢气输送管道先级阀112、气体流量控制器(MFC)113和氢气输送管道后级阀114构成;氧气输送管道120采用同样结构,由氧气入口121、氧气输送管道先级阀122、气体流量控制器(MFC)123和氧气输送管道后级阀124构成。现有的每种气体输送管道只有一个后级阀(114、124)防止管道残余气体且无物理硬件互锁,一旦在氢气或氧气输送时另一管道中的残余氧气或氢气可能会从后级阀泄露进气体混合管道中进行反应发生爆炸,对人员生命和财产安全造成威胁。
为了进一步防止现有的刻蚀设备输气管道存在氧气和氢气混合爆炸的问题,本实用新型提出一种蚀刻机台气体输送互锁装置,可以显著降低甚至避免上述问题。
实用新型内容
为了进一步防止现有的刻蚀设备输气管道存在氧气和氢气混合爆炸的问题,根据本实用新型的一个实施例,提供一种蚀刻机台气体输送互锁装置,包括:
第一气体输送管道,所述第一气体输送管道依次由第一气体输入管、第一气体先级阀、第一气体流量控制器(MFC)、第一气体安全阀和第一气体后级阀串联构成;
第二气体输送管道,所述第二气体输送管道依次由第二气体输入管、第二气体先级阀、第二气体流量控制器(MFC)、第二气体安全阀和第二气体后级阀串联构成;
混合阀,所述第一气体输送管道和所述第二气体输送管道连接至所述混合阀;以及
反应腔,所述混合阀连接至所述反应腔。
在本实用新型的一个实施例中,所述第一气体输送管道为氢气输送管道;所述第二气体输送管道为氧气输送管道。
在本实用新型的一个实施例中,所述第一气体先级阀、所述第一气体后级阀、所述第二气体先级阀、所述第二气体后级阀为常闭阀;所述第一气体安全阀、所述第二气体安全阀为常开阀。
在本实用新型的一个实施例中,所述第一气体安全阀和所述第二气体后级阀互为反向阀,当所述第二气体后级阀开启时,所述第一气体安全阀关闭;所述第二气体安全阀和所述第一气体后级阀互为反向阀,当所述第一气体后级阀开启时,所述第二气体安全阀关闭。
在本实用新型的一个实施例中,所述第一气体安全阀和所述第二气体后级阀接入同一第一控制信号;所述第二气体安全阀和所述第一气体后级阀接入同一第二控制信号。
在本实用新型的一个实施例中,所述第一控制信号、所述第二控制信号为气动信号。
在本实用新型的一个实施例中,所述第一控制信号、所述第二控制信号为电动信号。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造